先进制程决战2奈米 2巨头想弯道超车台积电恐翻车

台积电虽然2奈米细节公布最少，但以目前技术来看，仍最有可能稳稳胜出。(图/达志影像)

目前市场上拥有先进制程技术的半导体业者仅剩台积电、三星电子以及英特尔，其中又以台积电的先进制程工艺、市占率遥遥领先，使得三星电子副会长李在镕出狱后动作频频，三星近期宣布2奈米将在2025量产，英特尔则是全面「正名」先进制程，20A制程于2024年推出，外界预期台积电也将在2024年推出2奈米制程，显示该制程节点将成为巨头们争霸的关键点。

虽然联发科今年底或明年初预料将推出新一代5G旗舰机处理器晶片「天玑2000」，采用台积电4奈米制程，高通则是预料推出「骁龙898」（Snapdragon 898），采用三星4奈米制程，将先掀起新一代安卓阵营的5G手机晶片之王是谁的话题，台积电、三星在先进制程再过一招。

三星在7日2021年三星晶圆代工论坛表示，2022年上半年才会推出3奈米制程，台积电3奈米制程则是同年下半年才会推出，前者甚至采用环绕闸极技术（Gate-All-Around，GAA），台积电延用鳍式场效电晶体(FinFET)，预计2奈米制程才会导入GAA技术，市场预期2024年推出。三星表示，预计2022 年推出第一代 3 奈米 3GAE 技术，2023 年推出新一代3 奈米 3GAP技术，2025 年 2 奈米 2GAP 制程投产，目前3奈米良率也正朝着4奈米制程逼近。

英特尔执行长基辛格（Pat Gelsinger）上任以来，推动IDM 2.0战略，宣示重返晶圆代工业务，打算在亚利桑那州兴建2座晶圆厂，并在7月公布先进制程技术蓝图，将原本的10 奈米 Enhanced SuperFin正名为Intel 7，原先的7奈米正名为Intel 4，并开始导入高数值孔径（High NA）EUV微影技术，之后分别为Intel 3、Intel 20A、Intel 18A。

英特尔说明，2022年10奈米处理器晶片Alder Lake，伺服器晶片Sapphire Rapids名称跟进改为7奈米，4奈米制程起，3 奈米要在 2023 下半年投片量产，2024 年跨入Intel 20A并逐步量产，象征晶圆代工制程进入埃米 (Angstrom) 时代。若跟台积电对照世代差异，英特尔4奈米、3奈米制程与其差距1年，20A制程对照台积电2奈米，届时英特尔将追上台积电先进制程技术时程。

基辛格指出，在 2021 年到 2025 年每年都会推出新一代的处理器，而且都会采用比前一代更先进的制程工艺，其中18A(1.8奈米)制程将在2025年推出，采用的最新电晶体架构RibbonFET，为英特尔版本的GAA技术。

台积电虽然为目前2奈米制程消息透露最少的厂商，从台积电年报资讯，3 奈米基于EUV技术展现优异的光学能力，与符合预期的晶片良率，以减少曝光机光罩缺陷及制程堆叠误差，并降低整体成本，2 奈米及更先进制程上将着重于改善极紫外光技术的品质与成本。

新竹宝山二期扩建计划近日通过都审，台积电营业组织资深副总经理秦永沛当时表示，位于南科3奈米厂持续兴建，2奈米厂区确定在宝山二期扩建用地建置，证实台积电2奈米根留台湾。

台积电在晶圆代工业务与客户拥有紧密关系，并支撑台积电先进制程发展，加上与半导体设备生产商、荷商艾司摩尔合作，在EUV机台的改良与开发，专精EUV技术，三星基本上就落后1年，英特尔虽然拥有强大的研发技术，就算目前以电晶体密度的规格来看，仍处在10奈米至7奈米之间，但要在5年内都推出新一代制程节点，压力相当沉重，想要弯道超车胜过台积电，恐怕难度非常高。