三星超车台积电？ 10奈米制程明年商业化
▲三星宣布10奈米制程将于明年商业化，意味在先进制程上将超车台积电。(图／本报资料照片)
全球三大晶圆代工厂在先进制程上的战争正式进入肉搏战的状态！韩国三星在17日宣布，率先领先业界运用10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程生产SRAM（静态随机存取记忆体）。这样意谓着三星10奈米制程技术已超车台积电，甚至连晶片龙头英特尔（Intel）都只能看三星的车尾灯。对此，台积电近两日的股价似乎没有太大受到影响。台积电18日收盘股价为137元，小跌2元。而19日开盘又再重回138元价位，最高一度来到139元。
由于SRAM 速度比 DRAM 快，常被当作中央处理器（CPU）的快取记忆体，借以提高CPU存取效率。而三星成功开发新世代SRAM，也代表其处理器制程工艺进阶至10奈米的过程相当顺利。其它，包括台积电与英特尔在SRAM 制程技术上，目前还分别停留在16与14奈米的制程上。
与14奈米SRAM相比，10奈米可将128MB记忆体单位储存面积缩小37.5%，配合10奈米打造的处理器，不仅运算效能加快且占用空间更小。三星希望明年底将10奈米完成商业化。而如果三星在10奈米上能在2017年初进入全面量产，将使三星争抢处理器代工订单占得有利位置。
另外，三星还同时将平面NAND快闪记忆体制程技术从16奈米推进至14奈米，将可降低生产成本、改善营利率。东芝、美光目前还停留在15或16奈米制程阶段，并认为这是平面NAND记忆体制程的极致，之后将朝3D堆叠发展。不过在三星做出突破后，或许平面NAND还有进一步延展的可能。
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