集邦：日本东北强震 半导体生产无大碍

日本铠侠K1 Fab震度达5级，地震发生当时造成线上晶圆部份受损，K1 Fab现已停机检查，而先前K1 Fab在污染事件发生后，第一季产能已下修，约占铠侠今年产能8％。在有余震的预测下，铠侠未来一周的产能利用率有可能采取缓慢恢复步骤，故对于K1 Fab本季的投产将进一步下修。铠侠其余工厂则不受影响，美光的广岛厂亦同。

端看NAND Flash现货价格，自2月起受铠侠原物料污染影响推升价格上涨，而俄乌战争并未使现货价出现明显涨跌波动，至这次福岛地震后，价格仍持稳。集邦表示，整体现货需求依旧疲软，价格不易出现剧烈变动。

在矽晶圆（Raw wafer）方面，胜高（SUMCO）山形米泽厂、信越（Shin-Etsu）福岛白河厂皆在影响范围内，震度皆为5级。由于长晶过程需要极高的稳定度，业者迄未公布其影响。至于环球晶部份日本厂区曾短暂断电，目前电力供应已全面回复，设备全面检查中，对财务及业务并无重大影响。

集邦表示，5级震度除停机检查外，机台与线上矽晶圆损害难免，不过在日本311地震后，除了重分配生产规划外，建物对于地震都有补强的动作，整体损害可能较轻微。

在晶圆代工方面，日本境内共有2座12吋厂和2座8吋厂，包含联电位于日本三重县的12吋厂Fab12M，高塔（Tower）位于富山县鱼津12吋厂及砺波8吋厂、新潟县新井8吋厂等，震度落在1～3级，目前皆正常运作影响不大。

IDM厂瑞萨（Renesas）此次受到地震影响程度较大，茨城县那珂厂、群马县高崎厂在地震发生后停工，重启生产时间将待认确后再决定。山形县米泽厂亦因地震停工，不过17日早上已重启生产。