《科技》DRAM/NAND价Q2估续扬 提高产能牵动H2供需攻防

受到持续的通货膨胀和区域冲突造成的压力影响下，全球多个主要经济体表现仍充满不确定性。延滞性通膨可能拖延降息时机，连带影响经济活动的重启。尽管消费者购买力道反弹不如预期，工业应用需求却因蓬勃发展的生成式AI应用而迅速增长。从资料中心到PC和智慧手机等边缘装置，AI相关技术可望催生出更多变革性的创新应用。由于记忆体和储存是实现AI功能的关键元件，这将有助于快速推动更多工业和企业级记忆体储存解决方案的发展，以满足AI应用对高容量和高可靠性的需求。

以伺服器市场来看，今年第二季伺服器与工作站出货量预估季增长7%，数量约为470万台。除了第二季出货量有望回升之外，第三季预估量也趋于乐观，整体2024年伺服器市场预估不会迎来大幅成长，然而在AI伺服器加持下，可望带动相关供应链成长动能，AI伺服器市场占比预估为10%-12%，年成长可达38%。AI伺服器所需记忆体量是传统伺服器的5～6倍，预期将进一步推动记忆体需求成长，成为记忆体产业成长动能之一。

PC/NB市场，2024年第二季PC出货量预估季回升，季增率来到10.8%。AI议题持续影响PC应用，可望为2024年的PC市场带来一线成长契机。AI PC需符合Microsoft规范的40 TOPS(每秒一兆次操作)算力要求；Microsoft Copilot服务预计推出离线模式，离线本机效能需达到45 TOPS以上算力才能运作，满足上述规格的新品预计2024年下半年才会出货。待Intel于年底推出Lunar Lake后，预计2025年可见到实际出货成长。

展望后续记忆体市况，DRAM第二季市场预估，单季DRAM供需比(Sufficiency Ratio)预估来到-2.2%，仅管目前仍处于卖方市场，但供给与需求差距日渐缩小，预期短期内价格不至于回落。DRAM记忆体价格今年第一季涨幅约为20%，第二季涨势不变，从PC、伺服器到手机和消费类产品都维持上涨趋势，惟幅度减至3-8%，而DRAM合约价涨势第二季也可望趋缓。上游供应商也持续密切关注高频宽记忆体(HBM)在AI伺服器的应用，同时计划投入更多资源开发此市场。

在HBM量产方面，相较于1-alpha制程，Hynix海力士和Micron美光陆续预计在第二季前量产更高阶1-beta制程的HBM。除了AI伺服器应用之外，自驾车市场将是HBM另一个关键应用场景。随着AI伺服器和自驾车应用对HBM的需求不断增长，HBM有望成为记忆体晶片制造商的最新战场。

NAND Flash市场第二季展望，单季供需比(Sufficiency Ratio)预估来到-4.2%，相较于DRAM，NAND Flash预估在第二季可望仍有明显的涨幅。除持续拉升NAND Flash价格外，供应商正积极重新定义大容量门槛，有助推广大容量。