美光导入EUV制程 台湾成首座基地

尽管加码美国动作不断，台湾美光董事长卢东晖接受专访表示，不影响台湾布局，更不会因此降低台湾美光产能，台湾将成为首个导入EUV的生产基地。(图/财讯提供)

根据《财讯》报导，全球第3大记忆体厂美光总裁暨执行长桑贾伊．梅洛特拉（Sanjay Mehrotra）于8月10日，与美国总统拜登一同宣布了爱达荷州总部150亿美元建厂计划，随即在9月14日举行了动土。紧接着，10月12日美光又宣布，将在纽约州打造全新DRAM（动态随机存取记忆体）巨型工厂，为期长达20年的1000亿美元计划，这不但是美国史上最大记忆体厂的投资案，未来也将是美国先进DRAM的制造重镇。

《财讯》报导指出，美光科技在短短两个月之内，先后宣布在美国两项重大投资案，合计金额高达1400亿美元，美光更喊话20年后，美国DRAM产能比重要达到40%的目标。市场不免担心，美光响应美国制造后，原本台湾身为美光最大DRAM的制造基地，未来市场地位会被取代吗？

两大投资拉升美国占比

面对市场的许多问号，上任10个月的美光前段制造企业副总裁暨台湾美光董事长卢东晖，首度以产业、技术、供应链、人才等多方面解析给出了答案。

根据《财讯》报导，卢东晖提到，美国两项投资案都是基于《晶片法案》而催生。其中，400亿美元用于总部扩厂计划，是在原来于去年底提出的10年1500亿美元的资本支出计划之内，加上观察三星、英特尔、台积电等半导体厂，都将研发与初期量产的工厂放在一起，如此布局产生很高的商业价值，所以才决定投入。

至于纽约州巨型工厂的规画，卢东晖不讳言，这项投资需要有政府政策持续性的支持，20年要达1000亿美元的投资金额，前提是一切都能按部就班的进行，才能达到这样的目标。

《财讯》分析，盘点美光的生产基地，在日本、台湾拥有DRAM制造中心，在新加坡则有NAND Flash（储存型快闪记忆体）制造中心；目前台湾美光与日本广岛厂分别占美光DRAM产能65%与35%。「未来DRAM产能的分布希望走向三足鼎立的局面，美国产能会慢慢拉上来，希望10年后，将美国产能占比提升至10%。」卢东晖透露。

但是，卢东晖强调，「在美国盖新厂并不是要把台湾的占比拿走，是因为饼变得更大了。我们相信，未来记忆体市场将大幅成长，台湾、日本、新加坡都可能扩产，当市场需求回升时，美光的产能肯定不够。」

《财讯》报导指出，美光曾于法说会上乐观预估，展望2030年，全球记忆体产业规模将从2021年的1610亿美元成长至3300亿美元，增幅达1倍。卢东晖说，记忆体产业长期趋势并没有变，像5G发展还没有真正起飞，又如未来一辆汽车就像是一个行走的伺服器，加上云端应用持续扩大，这些需求量只会愈来愈大。