美晶片法过关台积电躺枪！外媒揭打压大陆严重下场

美晶片法过关将阻碍台积电等公司在陆扩厂。(示意图／达志影像shutterstock）

规模约520亿美元的晶片法案通过美国参众两院表决，美国总统拜登最快本周签署成法，值得注意的是，该法案其中有项「10年条款」，即获得补贴的业者，10年内将不得于大陆或其他不友善国家建厂。美国财经媒体分析指出，此法案势必升高美国和大陆之间的紧张关系，而且限制英特尔及台积电等公司在大陆增产先进晶片，实际上将失去在大陆这个全球最大半导体市场的成长机会。

报导指出，获得美国晶片法案补助资金的半导体公司，必须承诺不会在大陆或俄罗斯等国扩大生产超过28奈米的晶片，虽然28奈米晶片比目前最先进的半导体落后了几代，但它们仍被广泛用于包括汽车和智能手机在内的产品中，而该项禁令也包括逻辑和记忆体晶片。

事实上，英特尔在2021年底就希望增加在大陆的产量计划，但被白宫拒绝，英特尔最终将其位在大连的晶圆厂出售给韩国的SK海力士，英特尔目前在大陆仍有晶片封装和测试设施。至于台积电方面，其位在大陆南京的工厂则生产28奈米和16奈米晶片。

报导指出，预计此项晶片法案，大部分资金将用于英特尔、台积电和三星，上述这些公司都准备在美国建设价值数百亿美元的晶片制造设施。

华尔街日报则指出，美国太晚才补贴半导体业恐难赢亚洲，分析晶片法案无法改变美国不是适合制造地的事实，晶片厂投资案多半流向美国以外的地方。美国半导体行业协会（SIA）资料显示，全球晶片制造产能，约有四分之三位于大陆、台湾、南韩、日本，美国仅占百分之十三，主因在于，在美国设立一家晶片厂并营运十年的成本，远比在大陆高五成，也比在台湾、南韩、新加坡高三成。