美新半导体申请三轴霍尔磁传感器专利，可通过单个霍尔器件实现三轴磁场的探测

金融界2024年11月11日消息，国家知识产权局信息显示，美新半导体（无锡）有限公司、美新半导体（绍兴）有限公司申请一项名为“三轴霍尔磁传感器”的专利，公开号 CN 118914939 A，申请日期为 2024 年 8 月 。

专利摘要显示，本发明提供 一种三轴霍尔磁传感器，其包括：衬底；形成于衬底上的掺杂阱，其中所述掺杂阱包括沿第一方向延伸的第一掺杂条以及沿与第一方向垂直的第二方向延伸且与第一掺杂条垂直相交的第二掺杂条；形成于第一掺杂条和第二掺杂条交接处的第一电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极一侧的第二电极和第三电极；至少部分形成于第一掺杂条内的位于第一电极另一侧的第四电极和第五电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极一侧的第六电极和第七电极；至少部分形成于第二掺杂条内的位于第一电极另一侧的第八电极和第九电极。这样，可以通过单个霍尔器件实现三轴磁场的探测。

本文源自：金融界

作者：情报员