Microchip将为Mersen SiC电源协议堆叠参考设计

Mersen的三相碳化矽电源协定堆叠参考设计为系统设计人员提供了完整、紧凑的大功率碳化矽解决方案，无需进行单独的元件采购、测试和认证。电源协定堆叠参考设计包括Microchip的碳化矽电源模组和数位闸极驱动器以及Mersen的叠层母排、熔断器、电容器和热管理，在单一的高效能协议堆叠参考设计中进行了优化设计。

凭借Microchip的1200V MSCSM120AM042CD3AG碳化矽MOSFET和AgileSwitch 2ASC-12A1HP数位闸极驱动器，电源协定堆叠参考设计使工程师能使用为其应用预先设计的套件快速开发高压系统，进而将上市时间最多缩短至六个月。

Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示，与Mersen合作提供碳化矽MOSFET和数位闸极驱动器解决方案，将使Microchip的客户受益。功率逆变器设计人员能采购到成熟的解决方案，就可以避免采购单独的零件，并透过可靠性降低风险，有助于避免故障情形。设计人员如今终可采用一体化的评估系统。

电源协议堆叠参考设计提供16 kW/l的功率密度和高达130℃的Tj，峰值效率为98％，开关频率高达20 kHz。凭借Microchip坚固的碳化矽MOSFET和AgileSwitch系列可配置数位闸极驱动器，该参考设计使工程师能够从700V和1200V选项中选择电流高达750A的产品。Microchip还提供模组结构选项，包括基板材料、直接接合铜（DBC）陶瓷材料和晶片连接方法。

Mersen副总裁暨全球战略行销执行专家Philippe Roussel表示，为从单一来源获得高度稳健的碳化矽MOSFET和相容的数位闸极驱动器，我们与Microchip紧密合作，设计和开发了这款碳化矽电源协议堆叠参考设计。因此，依托我们的高可靠性叠层母排、电容器、熔断器和冷却系统产品线，我们有能力优化客户的任何逆变器拓扑结构。多功能的Microchip碳化矽阵容也使我们有能力将这些主要规格扩展到更高的电压、电流和开关频率，以满足每个客户的关键需求。

除了Mersen的电源协定堆叠参考设计中的产品外，Microchip还是其他碳化矽电源解决方案的供应商，包括650V至1700V的MOSFET和萧特基二极体系列，提供裸晶以及各种分离和多晶片模组封装。

Microchip将内部碳化矽晶片生产与低电感功率封装和数位闸极驱动器相结合，使设计人员能够制造出高效、紧凑和可靠的终端产品。这些元件与微控制器（MCU）、类比和MCU周边以及通信、无线和安全技术组合在一起，为许多应用的系统设计人员提供了成熟的整体系统解决方案。