三星DRAM市占創1年低 集邦：明年仍可望維持龍頭地位

全球DRAM龙头厂三星面临SK海力士和美光夹击，第3季市占率降至41.1%，创1年来新低，领先SK海力士差距缩小至6.7个百分点。集邦科技预期，三星积极开发HBM产品，且产能规模最大，明年仍有机会维持龙头地位。

据市调机构集邦科技统计，三星（Samsung）今年来DRAM市占率逐季滑落，第3季已降至41.1%，创下1年来新低。

反观美光（Micron）第3季市占率攀高至22.2%，创下今年新高，SK海力士（Hynix）第3季市占率也维持34.4%高档。三星领先SK海力士的幅度仅剩6.7个百分点，较今年第1季的差距12.8个百分点大幅缩小。

集邦科技分析师王豫琪表示，三星仍积极开发并调整高频宽记忆体（HBM）相关产品，加上产能规模仍属最大，预期三星明年仍有机会维持市占龙头地位。

随着市场需求将快速转向HBM3e 12hi，王豫琪指出，明年HBM3e 12hi产品的验证进度，将影响订单占比。此外，动态随机存取记忆体（DRAM）先进制程产品报价走势，若有明显跌幅，亦将削弱相关产品营收规模，是后续市占版图转移的观察重点。