集邦：三大 DRAM 廠衝 HBM 產能 占先進製程比重破三成

示意图。路透

研调机构集邦科技（TrendForce）释出最新研究，三大原厂开始提高先进制程的投片，继记忆体合约价翻扬后，公司资金投入开始增加，产能提升将集中在今年下半年，预期1alpha奈米以上投片至年底将占DRAM总投片比重约40％。

其中，HBM由于获利表现佳，加上需求持续看增，故生产顺序最优先。但受限于良率仅约50％～60％，且晶圆面积相较DRAM产品，放大逾60％，意即所占投片比重高。以各家TSV产能来看，至年底HBM将占先进制程比重35％，其余则用以生产LPDDR5（x）与DDR5产品。

以HBM最新发展进度来看，集邦科技表示，今年HBM3e将是市场主流，集中在今年下半年出货。目前SK海力士（SK hynix）依旧是主要供应商，与美光（Micron）均采用1beta奈米制程，两家业者现已正式出货给辉达（NVIDIA）；三星（Samsung）则采用1alpha奈米制程，预期今年第2季完成验证，于年中开始交付。

除了HBM需求占比持续增加，PC、伺服器、智慧型手机三大应用单机搭载容量增长，故对于先进制程的消耗量也逐季提升，其中又以伺服器的容量提升最高，主要受惠於单机搭载容量1.75TB的AI伺服器所带动。而随英特尔、超微新平台Sapphire Rapids、Genoa量产后，其记忆体规格仅能采用DDR5，预期今年DDR5渗透率至年底将逾50％。

与此同时，由于HBM3e出货将集中在今年下半年，期间同属记忆体需求旺季，DDR5与LPDDR5（x）市场预期需求也将看增。但受到2023年亏损压力影响，原厂产能扩张计划也较谨慎。整体而言，在HBM投片比重扩大的情况下，将使得先进制程产出有限，下半年产能配置将是供给是否充足的关键。

集邦科技表示，尽管三大原厂的新厂将于2025年完工，但部分厂房后续的量产时程尚未有明确规划，需依赖2024年的获利，才得以持续扩大采购机台，此也进一步形成三大原厂坚守记忆体价格今年的涨势。

除此之外，由于NVIDIA GB200将于2025年放量，其规格为HBM3e 192/384GB，预期HBM产出将接近翻倍，且紧接各原厂将迎来HBM4研发，若投资没有明显扩大，因各家产能规划皆以HBM为优先，在产能排挤的效应之下，DRAM产品恐有供应不及的可能性。