HBM对DRAM厂贡献 逐季扬

TrendForce于16日举行「AI时代 半导体全局展开─2025科技产业大预测」研讨会，并说明对记忆体后市的看法。

TrendForce指出，HBM市场仍处于高成长阶段，由于各大云端厂商持续布建AI伺服器，在GPU算力与记忆体容量都将升级下，HBM成为其中不可或缺的一环，带动HBM规格容量上升。

如NVIDIA Blackwell平台将采用192GB HBM3e记忆体、AMD的MI325更是提升到288GB以上。

由于HBM生产难度高、良率仍有显著改善空间，推高整体生产成本，平均售价约是DRAM产品的三至五倍，待HBM3e量产，加上产能扩张，对三星、SK海力士及美光等DRAM厂商的营收贡献，将逐季上扬。

在NAND Flash后市部分，TrendForce指出，NAND Flash供应商经历2023年的巨额亏损后，资本支出转趋保守。同时，DRAM和HBM等记忆体产品需求，受惠AI浪潮的带动，将排挤2025年NAND Flash的设备投资，使得过去严重供过于求的市况，将有所缓解。

随着AI技术快速发展，NAND Flash市场正经历前所未有的变革。AI应用对高速、大容量储存的需求日益增加，长期而言，将推动enterprise SSD（eSSD）市场的蓬勃发展。