三星豪语 2027量产1.4奈米

台积电及三星晶圆代工之技术比较

韩国三星电子在年度晶圆代工论坛宣布，预计2025年2奈米将进入量产，2027年跨入1.4奈米，且先进制程产能至2027年将扩增2倍，包括高效能运算（HPC）、车用电子等非手机应用将占整体产品组合的50％以上。

业内指出，三星晶圆代工技术蓝图时间表与台积电相近，台积电预计2025年2奈米开始量产，2027年进入下一代制程。

三星晶圆代工日前宣布首款采用环绕闸极（GAA）电晶体架构的3奈米成功量产，并传出正与高通、超微等大厂洽谈合作，而未来技术推进将透过优化GAA架构技术，在2025年推出2奈米制程，2027年推出1.4奈米制程。

随着小晶片（chiplet）设计及异质晶片整合的快速发展，三星宣布将加速2.5D／3D异质整合先进封装技术推进，其中包括采用微凸块（micro bump）制程的3D先进封装X-Cube会在2024年进入量产，无凸块制程X-Cube先进封装技术会在2026年推出。

三星晶圆代工计划锁定包括HPC、车用、5G、物联网（IoT）等非手机相关应用市场，预期至2027年非手机应用将占整体产品组合的50％以上，除了会针对手机及HPC运算推出强化版GAA架构3奈米制程，今后还会针对HPC及车用领域推出4奈米特殊制程以满足客户强劲需求。

在车用晶片部份，三星已经量产嵌入式非挥发性记忆体（eNVM）的28奈米制程，2024年会推进至eNVM的14奈米制程，未来会再微缩至8奈米。再者，三星已完成14奈米及8奈米射频（RF）制程量产，5奈米RF制程已展开研发。

三星晶圆代工宣布到2027年先进制程产能将增加2倍，位于德州泰勒（Taylor）的晶圆厂已进入建厂阶段。三星表示，在全球共拥有5个生产基地，分别位于美国德州奥斯汀（Austin）及泰勒，以及位于韩国器兴（Giheung）、华城（Hwaseong）、平泽（Pyeongtaek）。

面对全球总体经济不确定性，三星晶圆代工说明产能投资将采用Shell-First策略，亦即先完成晶圆厂无尘室的兴建，之后再依市况进行晶圆厂设备安装，以维持扩产的弹性并能符合市场实际需求变动。