微矽創新版3月掛牌 20日起競拍

微矽董事长张秉堂积极布局第三类化合物半导体测试商机。记者简永祥／摄影

微矽电子（8162）配合创新板上市前公开承销，对外竞价拍卖3436张，竞拍底价32.41元，竞拍时间自2月20日至22日，2月26日开标，暂定3月7日挂牌。

随着半导体技术的不断发展，元件变得更小、更快、更强大，第三代半导体测试技术必须能够应对这些变化，确保半导体元件的性能达到设计要求。同时，第三代半导体测试技术可以支持新型元件和新技术的测试和验证，有助于加速创新的推出。微矽电子测试封装产品线涵盖GaN、SiC、MOSFET、IGBT、Diode、PMIC及MCU等，可提供客户多样性的产品测试封装需求。

此外，因应半导体市场对第三代半导体GaN及SiC为基材之产品需求增加，该公司亦具备第三代半导体相关之产品测试能力。微矽电子除深耕于测试与封装服务外，亦跨入晶圆薄化服务，包括为晶圆进行正面金属镀膜、晶圆背面研磨与金属镀膜，能帮助降低电流通过之阻值，以减少功率损耗，除了有效减少后续封装体积外，并能减少热能累积效应，满足终端产品走向「节能」的趋势。

微矽董事长张秉堂表示，第三代半导体面临多项高技术含量挑战，包括尺寸和密度的提高、高速度操作、功耗管理、新材料和结构的应用，以及更严格的可靠性要求。首先，半导体元件尺寸更小且密度更高，需要创新的测试解决方案和设备以确保测试可行性。其次，高速度操作要求更先进的测试设备和演算法，以避免性能瓶颈。

此外，功耗管理变得更加关键，需要新的低功耗测试技术。同时，由于新材料和结构的应用，必须开发新的测试技术以应对这些挑战。最后，为了满足更高的可靠性需求，需要长时间的测试和大量的测试数据分析，也因此，在第三代半导体相关产品测试上具有相当高的门槛。

根据集邦科技预测，第三代功率半导体市场呈现强劲增长。从2021年的9.8亿美元预测至2025年将达到47.1亿美元，年复合成长率高达48%。第三代半导体主要包括氮化镓（GaN）和碳化矽（SiC），应用范围涵盖快速充电器、AI伺服器、无人机、家电、5G通讯、电动车、充电桩、太阳能、风电、储能系统等多个领域。第三代半导体已成为全球发展的重要趋势，并在高压、高频、高电流、高功率和低功耗应用中发挥着关键作用。

微矽在第三代半导体氮化镓（GaN）与碳化矽（SiC）的测试、薄化与切割技术上领先同业3到5年；随着客户产品需求成长，可望带动公司长期营运动能。