英特尔申请包括微结构薄膜电容器的衬底专利，能实现微电子衬底的相关创新

金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，英特尔公司申请一项名为“包括微结构薄膜电容器的衬底”的专利，公开号CN 119136656 A，申请日期为2023年12月。

专利摘要显示，本文公开了包括强化玻璃芯的微电子组件以及相关的装置和方法。在一些实施例中，一种具有原位电容器的微电子衬底，所述电容器可以包括：第一导电层，所述第一导电层在第一表面处具有第一微结构；第二导电层，所述第二导电层在所述第一导电层上且在第二表面处具有第二微结构，其中， 所述第二微结构与所述第一微结构竖直互锁；以及在所述第一微结构与所述第二微结构之间的高k电介质材料。

本文源自：金融界

作者：情报员