英特爾先進封裝大進擊 與日月光、艾克爾等分庭抗禮

英特尔。路透

英特尔在晶圆代工先进制程紧追台积电（2330）之际，也在先进封装领域大进击，21日宣布将在今年内推出Intel 3-T制程，可搭配采用其最新的Foveros Direct 3D先进封装，争取AI等高速运算（HPC）晶片商机，与台积电、三星等同业大打抢单战，并与日月光投控、艾克尔等专业封测厂分庭抗礼。

英特尔是在21日于美国圣荷西举办的「IFS Direct Connect 2024」活动中，释出以上讯息。业界人士分析，英特尔在先进制程与先进封装两路并进，加上自家晶片也猛攻AI应用，在全球AI领域的地位也会日益重要，但也意味未来与同业之间的竞争将更加激烈。

英特尔已在2D封装有所着墨，其先进封装布局主要包括EMIB与Foveros方案。

英特尔先进封装发展概况 图／经济日报提供

英特尔指出，该公司从2017年开始有2.5D EMIB封装产品出货，也有Co-EMIB技术，是于2022年结合EMIB与Foveros技术，推出代号为Ponte Vecchio的GPU Mac系列产品。

而第一代Foveros封装则于2019年推出，该公司去年推出的Intel Core Ultra处理器则是运用其第二代3D Foveros封装技术，凸点间距（bump pitch）进一步缩小。根据英特尔的规划，接下来将进一步扩展Foveros Direct 3D先进封装。

目前英特尔在美国奥勒冈州与新墨西哥州设有先进封装产能，未来在马来西亚槟城新厂也将有3D Foveros封装相关产能。其槟城新厂后续将可望成为该公司最大的3D Foveros先进封装据点，外界推估，该新厂可能于今年稍晚或2025年可完工运作。

英特尔先前提到，该公司规划到2025年时，3D Foveros封装的产能将较目前增加四倍。

值得注意的是，即使客户不是利用其晶圆代工服务来生产晶片，英特尔先前也表示，开放让客户也可以只选用其先进封装方案，目的是希望让客户可以更能拥有生产弹性。

英特尔先进封装布局已有更长远的擘画，该公司未来将推出业界首款用于下一代先进封装的玻璃基板方案，规画于2026至2030年量产，并预期最先导入的市场，将是需要更大体积封装、更高速应用及工作负载的资料中心、AI、绘图处理等领域。