助2奈米以下製程發展 imec攜兩大日廠推進EUV CNT技術

半导体研究机构比利时微电子研究中心（imec）携手日本化工及极紫外光（EUV）光罩护膜大厂三井化学共同宣布，为了推动针对极紫外光（EUV）微影应用的奈米碳管（CNT）曝光薄膜技术商业化，双方正式建立策略伙伴关系。

此次合作，三井化学将把imec根据奈米碳管所研发的创新光罩护膜技术，整合至三井化学的曝光薄膜技术，目标是实现能够全面投产的规格，预计将在2025～2026年导入高功率的极紫外光（EUV）系统。此次签约在甫落幕的东京2023 SEMICON Japan日本国际半导体展期间进行。

本次策略伙伴关系旨在共同开发曝光薄膜及极紫外光（EUV）光罩护膜，由imec提供技术咨询与极紫外光（EUV）曝光机测试，三井化学进行商用生产。这些光罩护膜被设计用来保护光罩在极紫外光（EUV）曝光时免受污染，不仅具备很高的极紫外光（EUV）穿透率（大于或等于94％）和极低的极紫外光（EUV）反射率，对曝光的影响也能控制到最小，这些都是要让先进半导体制造达到高良率和高产量所需的关键性能。

这些奈米碳管（CNT）光罩护膜甚至还能承受超过1kW等级的极紫外光（EUV）输出功率，有助于发展新世代（高于600W）的极紫外光源技术。于量产导入极紫外光（EUV）微影技术的厂商对这些性能产生浓厚兴趣。因此，此次合作的双方将携手开发可供商用的奈米碳管（CNT）光罩护膜技术，以满足市场需求。

imec先进图形化制程与材料研究计划的资深副总Steven Scheer表示，在协助半导体生态系发展新世代微影技术方面，imec拥有多年经验。从2015年开始，我们与整个供应链的伙伴们建立了合作，为先进的极紫外光（EUV）微影技术开发奈米碳管（CNT）光罩护膜的创新设计。

Steven Scheer说，有信心在量测、特征化、奈米碳管（CNT）薄膜特性和性能方面我们所掌握的深度知识将能加速三井化学的产品开发。透过合作，我们希望能为新世代极紫外光（EUV）微影技术推动奈米碳管（CNT）光罩护膜的生产。

在此微影技术发展蓝图下，新型光罩薄膜预计于2025～2026年推出，届时艾司摩尔（ASML）开发的新一代0.33数值孔径（NA）微影系统也将能支援输出功率超过600W的曝光源。此开发时程攸关2奈米以下逻辑晶片技术的导入。

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