慧榮科技於FMS 2024 推出全球首款採用台積6奈米EUV製程的控制晶片

慧荣科技在8月6日至8日于美国加州举办的FMS（Future of Memory and Storage）上，展示以SM2508为主的SSD控制晶片及其他创新技术。图／公司提供

全球NAND快闪记忆体控制晶片领导厂商慧荣科技（SIMO）7日宣布推出一款专为AI PC和游戏主机设计、具备最佳效能功耗比的SM2508 PCIe Gen5 NVMe 2.0消费级SSD控制晶片，是全球首款采用台积电6奈米EUV制程的PCIe Gen5消费级SSD控制晶片，相较于竞争厂商的12奈米制程，功耗大幅降低50%。

慧荣在8月6日至8日于美国加州举办的FMS（Future of Memory and Storage）上，展示以SM2508为主的SSD控制晶片及其他创新技术。

慧荣表示，SM2508整个SSD的功耗低于7W，比PCIe Gen4 SSD提高了1.7倍的功耗效率，且比目前市场上的PCIe Gen5竞争产品提升达70%，是一款专为 AI 笔电所设计的高效能、低功耗PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0 SSD控制晶片，支援 8 个 NAND 通道，每通道速度高达3,600MT/s，循序读写速度最高可达 14.5 GB/s 和 13.6 GB/s，随机读写效能最高可达2.5M IOPS，相较于PCIe Gen4产品，效能提升了2倍。

慧荣科技终端与车用储存事业部资深副总段喜亭指出，SSD 储存解决方案持续演进，以因应未来 AI 应用所带来的新挑战，包括资料效率和高效能模型的需求，公司的PCIe Gen5 SSD 控制晶片拥有业界最佳的功耗效率，可满足当今AI PC的独特需求，提供高效能与低功耗，以符合未来不断日新月异的 AI PC 标准。

慧荣科技在8月6日至8日于美国加州举办的FMS（Future of Memory and Storage）上，展示以SM2508为主的SSD控制晶片及其他创新技术。图／公司提供