抢AI手机市场 慧荣 6奈米制程晶片上膛

此外，慧荣也宣布推出全新第二代UFS3.1控制晶片SM2753。慧荣将于3月20日在深圳举办的CFMS／MemoryS 2024峰中展示最新UFS控制晶片，及最新的消费级和企业级SSD解决方案，同时受邀于峰会主论坛中进行演讲。

慧荣的UFS控制晶片系列，支援从UFS4.0到UFS2.2各种标准，也支援最广泛的NAND Flash，包括次世代高速的3D TLC和QLC NAND，为旗舰、主流和入门级的行动和运算装置提供高效能、低功耗的嵌入式解决方案。

SM2756是全球最先进的UFS4.0控制晶片解决方案，以领先的6奈米EUV技术为基础，并运用MIPI M-PHY低功耗架构，使其在效能与功耗间取得完美的平衡，满足现今顶级AI行动装置全天候运算需求。SM2756循序读取效能超过每秒4,300MB，循序写入速度超过每秒4,000MB，支援各种3D TLC和 QLC NAND，且支援容量最高可达2TB。

全新的第二代SM2753 UFS 3.1控制晶片解决方案采用高速序列连结的MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane和 SCSI架构模型（SAM），展现无与伦比的效能。

继SM2754 UFS3控制晶片上市，慧荣进一步推出主打单通道设计的SM2753，支援次世代3D TLC和QLC NAND，以达到每秒2,150 MB／1,900MB的循序读取／写入效能，同步满足主流与入门级手机、物联网装置及车载应用的UFS3需求。

慧荣最新的UFS控制晶片解决方案搭载先进的LDPC ECC技术和SRAM资料错误侦测与修正功能，能强化资料可靠性、提升效能并减少功耗。此外，支援最广泛的快闪记忆体，包括所有NAND大厂所生产的3D TLC和QLC NAND 。

SM2756采用6奈米EUV制程，满足最新顶级智慧型手机对高效能、高容量与低功耗储存的需求，符合次世代AI的功能和应用。