慧榮推出專為AI手機等設計的6奈米 UFS 4.0控制晶片

荣科技推出专为 AI 智慧型手机、边缘运算及车载应用设计的 6奈米制程 UFS 4.0 控制晶片。照片提供／慧荣科技

全球 NAND 快闪记忆体控制晶片领导厂商慧荣科技（NasdaqGS: SIMO）13日宣布推出 SM2756 UFS（Universal Flash Storage）4.0 控制晶片，成为慧荣科技 UFS 控制晶片系列中的旗舰款，以因应快速成长的 AI 智慧型手机、车用和边缘运算等高效能应用需求。另也宣布推出全新第二代 UFS3.1控制晶片 SM2753。

慧荣科技将于3月20日在深圳举办的 CFMS MemoryS 2024峰中展示最新的 UFS 控制晶片，以及最新的消费级和企业级 SSD 解决方案，同时也受邀于峰会主论坛中进行演讲。

慧荣的 UFS 控制晶片系列已成为目前业界最广泛的产品组合，支援从 UFS4.0到 UFS2.2各种标准，也支援最广泛的 NAND Flash，包括次世代高速的3D TLC 和 QLC NAND，为旗舰、主流和入门级的行动和运算装置提供高效能、低功耗的嵌入式解决方案。

SM2756 是全球最先进的 UFS 4.0控制晶片解决方案，以领先的6奈米 EUV 技术为基础，并运用 MIPI M-PHY 低功耗架构，使其在效能与功耗间取得完美的平衡，满足现今顶级 AI 行动装置全天候运算需求。SM2756 循序读取效能超过每秒4,300 MB，循序写入速度超过每秒 4,000 MB，支援各种 3D TLC 和 QLC NAND，且支援容量最高可达 2TB。

全新的第二代 SM2753 UFS 3.1控制晶片解决方案采用高速序列连结的 MIPI M-PHY HS-Gear4 x 2-Lane 和 SCSI 架构模型 (SAM)，展现无与伦比的效能。继 SM2754 UFS3 控制晶片的成功上市，慧荣科技进一步推出主打单通道设计的 SM2753，支援次世代3D TLC和QLC NAND 以达到每秒 2,150 MB/1,900MB 的循序读取/写入效能，同步满足主流与入门级手机、物联网装置以及车载应用的 UFS3需求。

慧荣科技最新的 UFS 控制晶片解决方案搭载先进的 LDPC ECC 技术和 SRAM 资料错误侦测与修正功能，能强化资料可靠性、提升效能并减少功耗。此外，支援最广泛的快闪记忆体，包括所有 NAND 大厂所生产的3D TLC 和 QLC NAND 。

「我们的 SM2756采用6奈米 EUV 制程，满足了最新顶级智慧型手机对高效能、高容量与低功耗储存的需求，符合次世代AI的功能和应用。」慧荣科技终端与车用储存事业群资深副总段喜亭表示，全新的单通道 SM2753 UFS 控制晶片让我们能以更具成本效益、高效能与低功耗的产品，持续在广大且不断成长的 UFS3市场中保持领先地位。