补助比英特尔少也不怕 分析师曝「台积电优势」难被击败

台积电为全球晶圆代工龙头，后头追兵来势汹汹。（图／路透社）

美国商务部8日宣布将提供台积电(2330)最高66亿美元投资补助及50亿美元贷款，DIGITIMES分析师陈泽嘉表示，尽管台积电获补助金额低于英特尔、导入先进制程时间亦晚于英特尔，但凭借在先进制程的大量生产经验，仍可望维持良好的竞争优势。

美国商务部3月18日宣布提供英特尔（Intel）85亿美元补助及110亿美元优惠贷款，成为美国晶片法案补贴最大赢家。先前，格罗方德（GlobalFoundries）、Microchip等美国半导体业者虽亦获得晶片法补贴，但与英特尔获得的补贴规模相去甚远。

陈泽嘉观察，英特尔及台积电陆续获得美国政府补助，2案补贴合计达151亿美元，占美国晶片法案对半导体制造补贴390亿美元的近4成，凸显美国意图强化先进半导体制造能力的决心。而台积电与英特尔目前的投资计划，将有助美国建立半导体先进制程生产能力。

而在宣布将提供台积电高额补助后，美国商务部也同步透露，台积电承诺将在亚利桑那州投资兴建第3座晶圆厂、更新第2座晶圆厂投资计划，使台积电亚利桑那州总资本支出增逾250亿美元，累计将逾650亿美元。

陈泽嘉指出，考量美国半导体建厂时程、员工招募与训练、客户制程需求等因素后，台积电亚利桑那Fab 21 P1厂原规画量产技术已由5奈米制程转为4奈米，量产时程递延至2025年上半年。

而原规画2026年量产3奈米制程的Fab 21 P2厂，因应美国客户需求，将增加生产更先进的2奈米制程，量产时程预计于2028年。陈泽嘉认为，台积电规画2025年在新竹宝山Fab 20量产2奈米制程，因此2028年将2奈米制程顺利导入Fab 21 P2厂的升级机率相当高。

至于台积电规画Fab 21 P3厂2030年前完工、导入2奈米及以下先进制程，陈泽嘉表示，由于2奈米制程2025年进入量产、1.4奈米制程可望在2027～2028年在台量产，只要厂务建设、机台进驻、人员招募与训练顺利，Fab 21 P3厂可望在2030年前顺利导入1.4奈米制程。

不过，根据英特尔IDM 2.0战略规画，Intel 3制程已在2023年下半年完成开发，2024年将进入量产，成为美国率先量产3奈米制程业者。至于Intel 18A制程，陈泽嘉预估将在2025年进入量产，使英特尔成为美国本土首家生产2奈米以下制程的半导体业者。

陈泽嘉观察，英特尔在5奈米以下先进制程量产时点将早于台积电Fab 21、甚至可望在2030年前在美国量产Intel 10A制程，相似的先进制程量产时点皆可望早于台积电Fab 21，将可提早为美国建立先进制程生产能力。

不过，考量台积电生产7奈米以下先进制程经验叠加仍占优势，且客户高度客制化产品经验丰富，陈泽嘉认为台积电在美国仍可望持续保有竞争力，全球市场竞争力可望维系。后续则可关注尚未公布的三星电子获投资补贴金额、及三星电子未来宣布的相应投资计划。