长鑫存储DDR5良率 韩媒打脸

陆媒稍早报导，长鑫储存近期启动DDR5生产，其公布的良率约80％，与韩国企业生产DDR5的80％至90％良率相比，双方差距并不显著。但韩国媒体则持不同观点。

据Business Korea报导，韩国半导体产业人士表示，由于大陆厂商无法取得荷兰半导体设备大厂艾司摩尔（ASML）的EUV曝光机，在制程良率方面仍有相当大进步空间。韩国半导体产业协会则建议，三星电子应加速布局长鑫存储无法触及的市场领域。

另据ASML近期对外展示，把新一代高数值孔径极紫外光（High NA EUV）用于DRAM制程的可能性，声称导入后有望降低30％的成本。但由于长鑫存储等陆厂自2019年起就无法进口EUV设备，预期与其他地区业者的成本差距将持续扩大。

另一方面，川普2025年1月重返白宫执政后，大陆半导体产业恐遭遇更严峻的挑战。美国拜登政府23日宣布，对大陆生产的成熟制程晶片启动「301条款」调查，此举可能为2025年1月就职的川普提供现成的工具，以开始实现对大陆商品征收60％关税的竞选承诺。

报导还指出，在拜登政府时期数度未被列入管制清单的大陆记忆体龙头长鑫存储，可能在川普上任后就被纳入制裁黑名单。