第2季DRAM產業營收季增24.8% 研調上修第3季合約價漲幅

集邦调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第2季整体DRAM产业营收229亿美元，季增24.8%。价格部分，第2季合约价维持上涨，第3季因地缘政治等因素，预估conventional DRAM合约价涨幅将高于先前预期。路透

根据TrendForce调查，受惠主流产品出货量扩张带动多数业者营收成长，2024年第2季整体DRAM产业营收229亿美元，季增24.8%。价格部分，第2季合约价维持上涨，第3季因地缘政治等因素，预估conventional DRAM合约价涨幅将高于先前预期。

观察Samsung、SK hynix和Micron第2季出货表现，皆较前一季增加，平均销售单价方面，三大厂延续第1季合约价上涨情势，加上台湾4月初地震影响，及HBM供不应求、催化DRAM买方转为积极采购，第2季合约价最终调涨13%至18%。

TrendForce表示，2024年第2季Samsung受惠于平均销售单价季增17~19%，位元出货量也小幅增加，带动DRAM营收成长至98.2亿美元，季增22%，市占维持第一。

SK hynix则因HBM3e产品通过认证、出货放量，带动位元出货季增超过20%，营收大幅增加至79.1亿美元，季增幅高达38.7%。

Micron第2季的营收较上季增加14.1%，为45亿美元，虽然售价微幅下降，但位元出货量季增达15%至16%，但由于Micron第2季积极去化低价的1beta nm DDR5次品库存，整体表现落后两大同业。

在各厂获利部分，由于DRAM合约价上涨，原厂产能利用率已恢复满载、认列库存跌价损失回转，及DDR5、HBM等高价产品出货比重提升，各原厂第2季持续保持获利。其中，Samsung营益率自上季的22%增加至37%，SK hynix从33%增至45%，Micron则因为HBM产品贡献度较低，营益率仅从6.9%回升至13.1%。

观察台厂第2季表现，南亚科（2408）在consumer DRAM的终端销售动能放缓，出货量小幅下降，但因平均单价上扬，营益率从-30.7%改善至-23.4%。

华邦电（2344）因小幅调涨高容量产品合约价，平均销售价格成长24~26%，加上高单价的低容量产品出货比例高，带动营收季增3.7%，达1.68亿美元。

力积电若只计算其生产的consumer DRAM营收，第2季则季减约13.5%，若加计代工营收则季增2.2%，反映代工客户积极储备库存。

第3季DRAM合约价上修，反映地缘政治因素，TrendForce表示，多数DRAM原厂甫于2024年7月下旬和PC OEMs及CSPs议定第3季合约价，结果显示涨幅皆高于预期。TrendForce据此上修conventional DRAM第3季合约价涨幅为8~13%，较原预估值提高约5个百分点。

TrendForce指出，自第2季开始，中系CSPs因担忧美国政府对其AI晶片或记忆体采购推出新一波制裁，皆积极备货，导致采购规模较去年同期翻倍，激励DRAM原厂锁价喊涨。这种情况对美系CSPs的采购谈造成压力，让美系业者也必须上修采购价。而server DRAM价格涨幅上调，同样有利于刺激PC DRAM合约价的商谈气氛。

此外，为赶在HBM3e产品通过验证后及时出货，Samsung先已在工厂投片生产HBM3e晶圆，此举将排挤2024年下半年1alpha nm制程的DDR5排产。各原厂近期逐步完成2025年度的产能规划，其中，HBM生产比重较高的SK hynix及Samsung都将出现HBM3e排挤DDR5的情况，预期未来几季DRAM价格将难以回落。