HBM3e面临良率学习曲线、客户验证挑战　明年是否过有待观察

▲HBM3e面临良率学习曲线、客户验证挑战。（示意图／工研院提供）

记者高兆麟／综合报导

近期市场对于2025年HBM可能供过于求的担忧加剧，而据TrendForce资深研究副总吴雅婷表示，由于明年厂商能否依照期望大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，目前尚难判定是否会出现产能过剩态势。

根据TrendForce最新调查，Samsung、SK hynix与Micron已分别于2024年上半年和第三季提交首批HBM3e 12hi样品，目前处于持续验证阶段。其中SK hynix与Micron进度较快，有望于今年底完成验证。

市场传出因部分DRAM供应商积极增加矽穿孔(Through-Silicon Via, TSV)制程产能，将造成2025出现供过于求与价格下滑的可能。根据两家韩系DRAM厂商目前的TSV产能提升计划，Samsung将从2024年底的单月120K至2025年底增加为单月170K，提升幅度超过40%，而SK hynix在同期的月产能提升比例预估为25%。但由于厂商产品尚未完全通过验证，产能提升规划是否能落实有待观察。

吴雅婷表示，从过去HBM3与HBM3e世代的量产历程来看，当时8hi产品的良率至少历经两个季度的学习曲线才达到稳定，有鉴于此，当市场需求快速转向HBM3e 12hi产品时，推测学习曲线也无法明显缩短。此外，NVIDIA B200、GB200和AMD MI325、MI350都将采用HBM3e 12hi，由于整机造价高昂，对HBM的稳定度要求将更严苛，成为HBM3e 12hi量产过程的一项变数。

TrendForce预估，受AI平台积极搭载新世代HBM产品带动，2025年的HBM需求位元将有逾80%落在HBM3e世代产品上，其中12hi的占比将超过一半，成为明年下半年AI主要竞争厂商争相下订的主流产品，其次则是8hi。因此，即便出现供过于求情况，推测最有可能发生在HBM2e、HBM3等旧世代产品上，至于对各DRAM供应商的影响程度，将取决于各家的产品组合。

目前TrendForce对DRAM产业展望维持不变，预估2025年HBM将可贡献10%的DRAM总位元产出，较2024年成长一倍。由于HBM平均单价高，估计对DRAM产业总市值的贡献度将突破30%。