华为阵营再添盟友！欧美企业“不敢碰”的难题，济南小厂5年突破

自从前段时间华为创始人任正非谦虚地表示“未来3年，华为以活着为目标”后，我们发现，如今华为的动作鲜有以往的“大张旗鼓”了。

根据天眼查数据显示，今年8月中旬，华为旗下哈勃投资入股了仅成立12年的济南“小厂”——晶正电子，在光通信单晶薄膜这一细分领域落下了一子。此次入股，华为“认缴”金额为138.19万元，具体真实投资金额不得而知。

很多人会好奇，100多万的投资能有什么大生意？小小的晶正电子，凭什么获得华为的青睐？

要了解晶正电子有何魅力，我们要从光通信领域说起。

一、“光子学革命”在即，铌酸锂异军突起

所谓“光通信”，就是以光信号为信息流通载体的新型通信方式。

和传统通信的无线电波相比，光波由于其波长短、频率高的物理特性，使光通信具备传输损耗更低、传输带宽更大、信息保真度高等诸多优点。不过，与之相对于的是光通信对配套设备的苛刻要求。

经历过早期拨号宽带的人都知道，当年的电脑联网直接用家里的电话线就可以。但今天的光通信，则需要搭配一整套独立的设施设备。完整的光通信产业链，由上游的光芯片、高能陶瓷、转化器，中游的光功能模块和下游数据中心、通信设备商、服务商共同构成。

而单晶薄膜，正是制备多种光芯片、信息存储用器件的基础原材料之一，其中，晶正电子生产的铌酸锂单晶薄膜，更是被业内誉为光通信设备的最理想选择。

二、铌酸锂：单晶薄膜“中流砥柱”

那么，和单晶硅、单晶二氧化钒等主流芯片材料相比，晶正电子的铌酸锂又有哪些优势呢？

1、居里温度最高

铌酸锂，是由铌、锂、氧三种元素构成的负性晶体化合物。仅从化学角度看，在已发现的特殊电极材料中，铌酸锂的居里温度最高，可达1210 ℃。

所谓的居里温度，特指某种化合物磁性消失的温度节点。众所周知，电磁效应的存在，是芯片发挥半导体功能的技术前提。因此，居里温度越高，化合物的磁性表现越稳定。铌酸锂的居里温度属性决定了，它确实当得起单晶薄膜“中流砥柱”的称号。

2、光电性能卓越

由超高的居里温度衍生而来，铌酸锂单晶薄膜的两大特性，使其成为光通信核心器件的最佳材料选择：

首先是繁多的光电效应，一件铌酸锂晶体，同时具备了压电效应、光弹效应、光折变效应、非线性光学效应、光声伏打效应等多种光电性能；其次，通过对铌酸锂晶体的畸变加工，其多种光电性能的表现程度，也能实现精准调控。

总之，经由铌酸锂晶体加工而来的单晶薄膜，chirp效应极低，光消比、稳定性表现卓越，在超远距离通信中，具有任何其他材料无法替代的天然优势。

不过长期以来，有关铌酸锂单晶薄膜的研究，一直被业内视为“不可触碰”的冷门技术领域，因为连乐于“技术垄断”的欧美企业，也没能攻克这一难题。

三、济南小厂迎难而上，填补行业空白

早在1964年，美国贝尔实验室就开始了对铌酸锂半导体特性的研究。此后十余年间，欧美科研团队多点开花，先后确立了铌酸锂在铁电、顺电相下的晶格结构，在材料成长工艺方面也取得重要突破，但唯独在铌酸锂单晶薄膜的制造上，陷入瓶颈。

上世纪80年代，由剑桥、耶鲁、哈佛等多所西方名校的科研机构，牵头发起了对铌酸锂单晶薄膜工艺的集中攻关，然而几年研究下来，只为相关行业带来一句“现阶段不可行”的实验结论。从此，西方企业在铌酸锂的技术课题上，进入了躺平模式。

2010年，海归博士胡文、胡卉兄弟俩受“5150引才计划”感召回国，在济南当地的帮助下成立晶正电子。他们创业的目的很简单，就是要在铌酸锂单晶薄膜工艺上，蹚出一条路来。

从2010年到2015年，兄弟俩率领旗下技术团队，在“早起晚归，一周仅休息半天”的工作强度下，坚持研发实验。一种技术路线不可行，就换另一种，多条路线都存在问题，就直接研究对技术的改进。

在经历上万次实验后，最终通过离子注入、直接键合等技术的组合运用，率先研发出纳米级铌酸锂单晶薄膜。在晶正电子的加工工艺下，0.5毫米厚度的铌酸锂单晶，可以平行切割出1000片薄膜晶片。时至今日，晶正电子在铌酸锂薄膜制造工艺上，已累积专利100余项， 还打造出全球首个铌酸锂薄膜制造基地。

在外企走不通的技术领域，胡文、胡卉俩兄弟的晶正电子，走通了！

四、结语

一如华为利用“极化码”，带领全球步入了5G时代。而晶正电子的铌酸锂单晶薄膜，也为国产光通信时代的到来，打下了坚实的地基。

此次华为主动联合晶正电子，是国内两个行业领军企业的的强强联合，更是在国外先进技术、硬件封锁的背景下，执着于研发的民族企业之间的“英雄惜英雄”。