辉达GTC登场 HBM3E有望亮相

美光于2月27日甫宣布，其8层堆叠24GB HBM3E解决方案已正式量产，将应用于辉达次世代的「H200」Tensor Core绘图处理器（GPU），预计于2024年第二季出货。美光24GB 8H HBM3E采用1-beta制程结合矽穿孔（TSV）先进技术，号称可满足大型神经网路训练或推论工作负载的加速运作，对记忆体频宽的要求。

另外，容量更高的美光36GB 12H HBM3E，预计于2024年3月开始制样工作。

美光因弯道超车，抢先于SK海力士及三星推出HBM3E，成为华尔街分析师看好的标的。

根据外电报导，花旗分析师Christopher Danely看好，美光搭上人工智慧（AI）顺风车的效益将扩大，打入辉达供应链，未来可望进一步获得华尔街青睐，股价再涨60％。

Christopher Danely按照对美光2026年的预估每股税后盈余（EPS）10美元、乘上本益比15倍，以此估算目标价。他认为，美光AI产品占比提高，将对股价带来利多，相较之下，超微（AMD）和博通等与AI沾上边的概念股，本益比均已上升。

Christopher Danely认为，美光财报表现将远超市场预期，财测也将十分亮眼，主因DRAM产品订价能力提高，加上推出更昂贵记忆体产品，为公司带来的利润增加。

据分析师估计，DRAM报价今年可望上涨52％，因产量预期仅将微幅成长，而用于AI的记忆体需求将激增。

研调机构Stifel分析师Brian Chin近期也将美光股票的投资评等从「持有」上修至「买进」，并将目标价由80美元，上修至120美元。他认为，美光是相对遭低估的AI概念股，未来将更直接受惠AI和HBM题材。