記憶體市況谷底反彈 力成、南茂迎更多訂單

国际大厂前一波减产效应带动下，DRAM、储存型快闪记忆体（NAND Flash）报价从2023年第3季起陆续涨价，随着市况谷底反弹，大厂减产力度缩小，产能利用率逐步提升，甚至放大资本支出，随着产出增加，有助力成（6239）、南茂（8150）等后段封测厂迎来更多订单。

今年记忆体市况走扬态势确立，各大晶片制造商开始拉升产能利用率，力成执行长谢永达认为，记忆体是一门很好生意，力成具备领先地位，并在高阶封装、逻辑IC展开更多布局，预期随着新专案陆续展开与景气及需求回升，今年上半年营运将较2023年同期成长，并且力拚2024年一季比一季好。

南茂也看好下半年表现优于上半年，全年营运比去年好，主因客户库存较先前有所改善，其次是记忆体产业回升，再来为面板驱动晶片（DDIC）其车用面板和OLED需求稳健，以及高阶测试机台于去年第4季小幅扩充，仍维持高水准。