力積電SEMICON雙喜臨門 3D晶圓堆疊/2.5D中介層獲國際大廠青睞

力积电董事长黄崇仁。图／联合报系资料照片

力积电宣布美、日大厂将以力积电Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术，结合一线晶圆代工厂的先进逻辑制程，开发高频宽、高容量、低功耗的3D AI晶片，为大型语言模型人工智慧(LLM-AI)应用及AI PC(个人电脑)提供低成本、高效能的解决方案。同时针对GPU与HBM(高频宽记忆体)的高速传输需求，力积电推出的高密度电容IPD的2.5D Interposer(中介层)，也通过国际大厂认证，将在该公司铜锣新厂导入量产。

据了解，力积电与工研院合作开发全球首款专为生成式AI应用所设计的3D AI晶片，甫拿下2024 World R&D100 AI晶片大奖。该公司更针对当前HBM市场严重供不应求的窘况，于今年SEMICON Taiwan大展发表3D晶圆堆叠的Logic-DRAM晶片制程技术，以此创新制程生产的3D AI晶片，应用在人工智慧推论(Inference)系统，已展现资料传输频宽是传统AI晶片10倍、功耗仅七分之一的优异效能。

力积电透露，由于同时掌握记忆体、逻辑两大制程平台，近年该公司领先全球大力研发的3D晶圆堆叠Logic-DRAM晶片制程技术，目前已和美商AMD、日本GPU(图形处理器)晶片设计业者及多家国际系统大厂联手，以力积电Logic-DRAM 多层晶圆堆叠技术，与一线晶圆代工大厂先进逻辑制程合作开发新型3D AI晶片，发挥3D晶圆堆叠的优势，为商机庞大的大型语言模型人工智慧(LLM-AI)应用市场，以及方兴未艾的AI PC新需求，提供高性价比的创新解决方案。

根据不同客户的AI晶片设计需求，力积电表示，透过合作伙伴爱普公司设计客制化DRAM晶片，再加上Logic-DRAM多层晶圆堆叠技术，与现有采用HBM的2.5D AI晶片架构相较，新款3D AI晶片能够在相同单位面积提供高达100倍传输频宽、庞大记忆体容量，考量GPU、HBM价格高昂、供不应求的现况，对亟需提升效能、降低成本和功耗的LLM-AI应用及AI PC市场深具吸引力。

另外，为支援GPU与HBM2E、HBM3高频宽记忆体的传输，力积电根据客户需求开发的2.5D Interposer搭配高密度电容IPD产品，已通过国际大厂的认证，目前该公司正积极在铜锣新厂布建生产线，以因应客户需求加速导入量产。