力旺推ReRAM IP 业绩添新引擎

5G通讯全面商用已带动物联网应用进入成长爆发阶段，包括微控制器（MCU）及特殊应用晶片（ASIC）等系统核心运算晶片，也开始大量采用40奈米及更先进制程量产。然而关键的eFlash技术主要基于电荷密度设计，制程微缩造成因耐久性及可靠度的严重衰退，导致将eFlash技术添加到逻辑制程的成本开始大幅增加。

虽然业界现阶段采用记忆体控制器来解决传统eFlash技术在40奈米以下制程节点的成本过高或可靠度大减等问题，包括加入纠错码（ECC）及数位讯号处理演算法等，但在针对物联网环境打造的新一代MCU或ASIC的设计上，已开始采用ReRAM或磁阻式记忆体（MRAM）技术。

力旺看好嵌入式ReRAM及MRAM的强劲爆发力，近年来与晶圆代工厂扩大合作投入研发，近期终于获得重大突破，第三季正式推出首款采用氧空缺记忆体（OxRAM）技术的ReRAM IP，已获新唐日本NTCJ采用在安全应用新款MCU当中，同时通过联电40奈米认证。

力旺嵌入式ReRAM IP采用制程将持续延续至22奈米，并将与新唐日本NTCJ展开新一代OxRAM技术的嵌入式ReRAM IP合作，未来量产后将共同进军智慧卡市场。

再者，力旺在嵌入式MRAM IP研发进展顺利，近期可望完成22奈米制程的认证。未来随着晶圆代工厂将现有eFlash制程升级到嵌入式ReRAM或MRAM技术世代，力旺营运将再添强劲成长动能。

力旺受惠于电源管理IC、面板驱动IC、车用晶片等出货畅旺，带动IP授权金及权利金同步成长，上半年合并营收11.38亿元，归属母公司税后净利5.37亿元，同创历史新高，每股净利7.20元优于预期。法人看好力旺下半年营运优于上半年，全年获利可望赚进1.5个股本。

力旺公告7月合并营收年增20.9％达3.72亿元，前七个月合并营收15.11亿元，较去年同期成长31.7％。力旺的权利金收入主要是以晶圆代工价格为计算基础，随着台积电计划明年全面涨价，以及联电、力积电等业者持续调涨价格，力旺将直接受惠。