聯電、英特爾合作效應 法人看好2027年發酵

联电（2303）、英特尔共同宣布在美国合作开发12nm制程平台，预计在2027年投入生产。法人机构表示，对联电而言，不用投资大笔资金在新晶圆厂，并且可增加美国据点，利用双方互补优势，扩大潜在市场，同时加快技术发展时程，但预估相关效益2027年才会开始浮现。

分析师表示，联电和英特尔共同宣布，双方将合作开发12nm制程平台，以因应行动、通讯基础建设和网路等市场的快速成长，合作开发的12nm制程预计在2027年投入生产。

新的制程将在英特尔位于美国亚利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的12、22 和32厂进行开发和制造，透过运用晶圆厂的现有设备将可大幅降低前期投资，并最佳化利用率。

双方将致力满足客户需求，透过生态系合作伙伴提供的电子设计自动化和智慧财产权（IP）解决方案，合作支援12 nm制程的设计实现。此12nm制程预计在2027年投入生产。

此12nm制程将善用英特尔位于美国的大规模制造能力和FinFET电晶体设计经验，提供兼具成熟度、性能和能耗效率的强大组合。受惠于联电在制程上的领导地位，以及为客户提供PDK及设计支援方面的数10年经验，得以更有效地提供晶圆代工服务。

法人机构指出，联电和英特尔合作，将可以快速有效率取得12nm制程，且拓展美国据点，但公告没有明确指出合作后的利益分配，以及中美企业的职场文化不同，是否顺利合作都有待观察，且在2027年才开始投产，短期贡献有限，联电现在大部份营收仍来自成熟制程，将持续面临中国大陆的竞争。

目前联电车用电子进入库存调整期，但在汽车电子化和自动驾驶驱动下，预期车用IC含量将持续增加，车用产品将是联电未来重要营收来源和成长主动能。车用晶片业务在2023年预估占公司营收比重为14~16%，2024年将持续成长。此外，联电将专注于跨逻辑和特殊制程平台差异化方案，如eHV、RFSOI、BCD，以提升未来业务成长，并扩大集团的产业影响力，预估今年每股获利约5.1元。