M31與高塔半導體合作 成功開發65奈米的SRAM和ROM先進記憶體解決方案

M31与高塔半导体合作， 成功开发65奈米的SRAM和ROM先进记忆体解决方案。图/M31提供

全球矽智财供应商M31 Technology Corporation円星科技（以下简称M31）宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）合作，成功开发65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并将设计模组交付客户端完成验证，搭配此平台的低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体）所设计的电路架构，能够满足SoC晶片严格的低功耗要求。

此外， M31的IP有提供多组Deep NWell电压组合（0~8V、8~16V、16~24V）让客户选择，使用者能更有弹性的跟其他外部IC整合。不仅如此，虽然是低功耗取向，M31也克服设计上的挑战，进而在速度达到一定程度的双重目标，为客户达成效能最佳化。

M31是专业的矽智财（IP）供应商，致力于提供经过严格矽验证的IP产品，而高塔半导体则是专精于提供先进类比电路半导体解决方案的领先代工厂。M31和高塔半导体的合作主要集中于成熟制程上，开发65奈米制程平台的先进记忆体编译器的Single Port 、One Port以及ROM，这将为物联网（IoT）、智慧型穿戴装置、车联网（V2X）、人工智慧（AI）等应用领域提供更可靠、高效的半导体元件，有助于客户在市场上取得竞争优势。双方将通过技术整合，提高生产效率并降低成本，满足市场对高度集成、低功耗、高性能半导体解决方案的不断增长的需求。

M31研发副总连南钧表示，M31此次合作中特别专注于类比IC和低功耗元件的技术整合，展现高度的偕同效应，协助客户在日渐复杂的SoC晶片架构中，实现性能和功能的优势。

高塔半导体的客户设计支援中心副总Samir Chaudhry表示，随着数位类比IC中的元件需求持续上升，此次扩大与M31的合作，开发兼容Tower 65奈米电源管理平台的先进记忆体编译器，这次合作突显了双方致力于为客户提供尖端解决方案以及高效且准确的工具来创建下一代IC的承诺。