日法将合作开发1奈米级新一代半导体技术

日本晶圆代工厂Rapidus宣布携手东京大学与法国半导体研究机构Leti，共同开发1奈米新一代半导体设计的基础技术。（图／Shutterstock)

日本晶圆代工厂Rapidus宣布，将携手东京大学与法国半导体研究机构Leti合作，共同开发1奈米新一代半导体设计的基础技术。2024年将正式开展人才交流和技术共享，利用Leti的技术构建有利于提高自动驾驶和人工智慧（AI）性能的1奈米产品供应链。

《日经中文网》报导说，日本Rapidus正与美国IBM、比利时半导体研究开发机构imec进行合作，预计于2027年实现的2奈米产品进行量产。

此外，1奈米产品预计在2030年代以后普及，功率及运算性能将比2奈米产品高1～2成。1奈米产品目前在考虑寻求与IBM合作，这种日美欧跨国合作有利于新一代产品的稳定供应。

报导说，Rapidus、东京大学及理化学研究所等加入的研究机构「最尖端半导体技术中心（LSTC）」与Leti于10月签订了探讨合作的备忘录。

据了解，3方并将在2024年正式展开人才交流、技术共用，目标是运用Leti的半导体元件技术，建构提升自动驾驶、人工智慧（AI）不可或缺的1奈米晶片产品供应机制。

LSTC与Leti的目标是确立设计开发线宽为1.4奈米～1奈米的半导体所需要的基础技术。1奈米产品需要不同于传统的晶体管（元件）结构，Leti在该领域的成膜等关键技术上占优，最尖端半导体技术中心将在试制品评估及人才派遣等方面进行合作。

报导指出，在2奈米晶片的量产上，Rapidus正和美国IBM、比利时半导体研发机构imec合作，且也考虑在1奈米等级产品上和IBM进行合作。预计在2030年代以后普及的1奈米产品运算性能将较2奈米提高10%-20%。

资料显示，Rapidus于2022年8月成立，由丰田、Sony、NTT、NEC、软银(Softbank)、电装（Denso）、NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)、三菱UFJ等8家日企共同出资设立，出资额各为73亿日圆，且日本政府也将提供700亿日圆补助金、作为其研发预算。目标是在5年后的2027年开始量产2奈米先进制程晶片。Rapidus计划国产化的物件为使用于自动驾驶、人工智慧(AI)等用途的先进逻辑晶片。

今年2月底，Rapidus宣布将在日本北部岛屿北海道的千岁市建造一座2奈米晶圆代工厂。Rapidus将基于IBM的2奈米制程技术，研发Rapidus版制造技术，计划2027年量产。该技术将聚焦高性能计算（HPC）和超低功耗（Ultra Low Power）两大方向。

今年9月初，Rapidus的2奈米晶圆厂已经正式动工建设，目标是在 2025 年之前将其 2奈米 晶圆厂建成并试生产，随后在2027年量产2奈米晶片。届时，日本有望成为继美国、中国台湾、韩国、爱尔兰之后，成为全球第5个拥有导入EUV的晶片量产产线的地区。