《半导体》台积电3奈米明年H2量产 逻辑技术冠全球

台积电(2330)公布先进技术进展，5奈米家族之中的4奈米加强版的开发进度相当顺利，预计于2021年第三季开始试产。3奈米技术于2022年下半年开始量产时将成为全球最先进的逻辑技术，相较于5奈米技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。

台积公司举办2021年技术论坛，会中揭示先进逻辑技术、特殊技术、以及3DFabric先进封装与晶片堆叠技术之最新创新成果。台积公司连续第二年采用线上形式举行技术论坛，发表包括支援下一世代5G智慧型手机与WiFi 6/6e效能的N6RF制程、支援最先进汽车应用的N5A制程、以及3DFabric系列技术的强化版。共计超过5,000位来自全球各地的客户与技术伙伴注册参与6月1至2日举行的线上技术论坛。

台积公司总裁魏哲家博士表示：「数位化以前所未有的速度改变社会，人们利用科技克服全球疫情带来的隔阂，彼此进行连系与合作，并且解决问题。数位转型为半导体产业开启了充满机会的崭新格局，而台积公司全球技术论坛彰显了许多我们加强与扩充技术组合的方法，协助客户释放创新。」

台积电持续站稳先进技术的领导地位。台积公司于2020年领先业界量产5奈米技术。5奈米技术N5家族之中的N4加强版借由减少光罩层，以及与N5几近相容的设计法则，进一步提升效能、功耗效率以及电晶体密度。在2020年台积公司技术论坛公布后，N4的开发进度相当顺利，预计于2021年第三季开始试产。

台积公司推出5奈米家族的最新成员－N5A制程，目标在于汽车应用对于运算能力日益增加的需求，例如支援人工智慧的驾驶辅助及数位车辆座舱。N5A将现今超级电脑使用的相同技术带入车辆之中，台积公司的汽车设计实现平台也提供支援。N5A预计于2022年第三季问世。

台积公司3奈米N3技术将于2022年下半年开始量产，届时将成为全球最先进的逻辑技术。N3凭借着可靠的FinFET电晶体架构，支援最佳的效能、功耗效率、以及成本效益，相较于N5技术，其速度增快15%，功耗降低达30%，逻辑密度增加达70%。

台积公司首次发表N6RF制程，将先进的N6逻辑制程所具备的功耗、效能、面积优势带入到5G射频（RF）与WiFi 6/6e解决方案。

台积公司持续扩展由三维矽堆叠及先进封装技术组成的完备3DFabric系统整合解决方案。

针对高效能运算应用，台积公司将于2021年提供更大的光罩尺寸来支援整合型扇出暨封装基板（InFO_oS）及CoWoS封装解决方案，运用范围更大的布局规画来整合小晶片及高频宽记忆体。此外，系统整合晶片之中晶片堆叠于晶圆之上（CoW）的版本预计今年完成 N7对N7的验证，并于2022年在崭新的全自动化晶圆厂开始生产。

针对行动应用，台积公司推出InFO_B解决方案，将强大的行动处理器整合于轻薄精巧的封装之中，支援行动装置制造厂商封装时所需的动态随机存取记忆体堆叠。