M31与高塔半导体携手开发 65奈米先进记忆体解决方案问世

M31宣布与高塔半导体合作。图／M31提供

全球领先的矽智财供应商M31(6643）宣布与高塔半导体（Tower Semiconductor）达成重要合作里程碑。双方联手成功开发出65奈米制程的SRAM（静态随机存取记忆体）和ROM（唯读记忆体）IP产品，并已将设计模组交付客户端完成验证，为半导体产业带来全新的先进记忆体解决方案。

本次合作成果的一大亮点在于卓越的低功耗表现。M31与高塔半导体共同优化的设计架构，巧妙结合低功耗元件Analog FET（类比场效电晶体），不仅能够完美满足当前SoC晶片对低功耗的严格要求，更为未来物联网（IoT）、智慧型穿戴装置、车联网（V2X）以及人工智慧（AI）等新兴应用领域提供了关键技术支持。

为了进一步提升产品的灵活性与适用性，M31特别在此IP中提供了多组Deep NWell电压组合（0~8V、8~16V、16~24V），让客户能够更加灵活地与其他外部IC进行整合。值得一提的是，M31的研发团队在追求低功耗的同时，也成功克服了诸多设计挑战，实现了速度性能的显著提升，为客户带来效能最佳化的双赢方案。

M31研发副总连南钧对此次合作成果表示高度肯定：「我们非常荣幸能与高塔半导体这样的业界翘楚携手合作，共同加速产品研发进程，为客户提供更加优质、创新的半导体解决方案。在此次合作中，M31特别专注于类比IC和低功耗元件的技术整合，不仅展现了高度的协同效应，更能有效协助客户在日益复杂的SoC晶片架构中，实现性能和功能的全面优化。这次的成功合作再次证明了M31在全球晶圆厂供应链中的重要地位和多元化发展战略。」

高塔半导体客户设计支援中心副总Samir Chaudhry也对合作成果给予了高度评价：「随着数位类比IC中的元件需求持续攀升，我们很高兴能够扩大与M31的合作范畴，共同开发兼容Tower 65奈米电源管理平台的先进记忆体编译器。这次的合作成果不仅彰显了我们为客户提供尖端解决方案的坚定承诺，也体现了我们为客户创建下一代IC提供高效准确工具的决心。我们相信，这样的合作将持续推动半导体产业的创新与进步。」