美立法速建晶片厂 台积电受惠

美国众议院23日通过《晶片美国制造法案》，可加速建晶片厂；台积等大厂受惠。图为正在半导体厂工作的工人。（美联社）

美国众议院23日以257票赞成、125票反对的表决结果，通过《晶片美国制造法案》（Building Chips in America Act），让部分半导体制造计划案能豁免联邦核发许可的规定，以免环评审查程序和诉讼导致晶片厂建设延宕。这项旨在加速美国半导体业建设的法案，已于去年底获得参议院通过，因此接下来将送交拜登总统签署生效。

2022年的《晶片与科学法》（CHIPS）祭出奖励措施，多家晶片公司承诺在美国本土投资大约4000亿美元建厂，包括英特尔和台积电在内，皆可取得数十亿美元的补助。不过，半导体厂址须接受《国家环境政策法》（NEPA）审查。而新通过的《晶片美国制造法案》，将准许符合联邦资助资格的业者在设立晶片厂时，能不必取得联邦级环评许可。

美国商务部长雷蒙多曾为豁免NEPA审查奔走，她警告，若晶片厂必须历经联邦环评程序，美国打造本土半导体业的努力，可能会被耽搁好几年。但环保团体则反对开方便之门，指半导体业会增加碳排，造成更广泛的环境损失。

这是拜登政府推动晶片本土制造，同时寻求达成应对气候变迁的目标，必然要面对的两难。新法案明列三种方法，让CHIPS资助的项目能豁免NEPA的审查。

首先是今年底前动工，而多数大厂应可符合此一门槛，一个例外是美光在纽约的建厂项目，该案尚未能满足《净水法》和各项州级规定的要求。

其次，《晶片美国制造法案》规定仅提供贷款、没直接补助的建厂案可获豁免。这项规定目前还不适用于CHIPS的任何激励方案。最后，如果建厂案获得的补助在项目成本的占比低于10％，就能豁免。

先前美媒曾分析说，如果不能豁免联邦级的环评程序，包括台积电亚利桑那州厂、英特尔俄亥俄州厂、三星德州厂以及其他半导体设厂案，恐将因为需要取得联邦环评核可，进度明显推迟。

此外，美国国务卿布林肯、日本外相上川阳子及韩国外长赵兑烈于23日在联合国大会场边举行三方会谈。美国国务院新闻稿指出，三方于会中重申台海和平稳定是国际社会安全与繁荣不可或缺的要素，并呼吁和平解决两岸议题，并强烈反对任何企图片面改变印太水域现状的行径。