南亚科技携手铠侠 研发垂直通道电晶体DRAM技术

南亚科与铠侠将于2024年12月举办的国际电子元件会议 (International Electron Devices Meeting; IEDM)上，发表此一采用氧化物半导体制造垂直通道电晶体DRAM制程技术，着重于降低电量耗用，并达到极低漏电流。

这项创新技术透过制造流程改善来强化晶片整合架构发展，展现南亚科在DRAM领域持续精进，以满足在高记忆体容量的相关应用上 ，如人工智慧设备、后5G通信及物联网，对节电与效能日益增加的需求。