台积催快2奈米 宝山4月装机

台积电2奈米制程的竹科宝山P1晶圆厂，最快4月进行设备安装工程。图／美联社

晶圆代工2奈米比较

半导体设备链16日股价表现

全球晶圆代工先进制程战再起，台积电2奈米制程的竹科宝山P1晶圆厂，最快于4月份进行设备安装工程，并全新采用GAA（全栅极环绕）电晶体架构，预计2025年量产。此外，宝山P2与高雄厂预估于2025年加入扩产，中科二期也进行评估，向三星及英特尔新世代制程宣战。

半导体业者表示，全球晶圆代工先进制程持续推进，竞争对手三星提早于3奈米进入GAA架构，虽然良率表现未达标，然已具备量产经验；英特尔则预计今年RibbonFET架构之20A就将进入量产。因应竞争对手来势汹汹，台积电必须加紧脚步。「全环绕栅极 (gate-all-around、简称GAA)」技术，是决定半导体处理能力在1年半～2年是否倍增的重要技术。

三星企图弯道超车，率先于3奈米晶片采用，是首家从传统FinFET转换的业者，然而良率稳定度不佳，客户并未买单，也让台积电3奈米底气十足；这也进一步显示，从2D走向3D的晶片设计，GAA电晶体架构难度陡升。

除外，英特尔追赶脚步也加快，据规划，今年上半年Intel 20A、下半年 Intel 18A都将推出；不过外界预估，Intel 20A仅供英特尔自家产品使用，不会主动提供IFS客户。因此推断，英特尔会持续与台积电保持紧密的合作关系。

台积电基于稳健考量，于相同的制程技术与制造流程下，不用变动太多的生产工具，能有较具优势的成本结构；对客户而言，在先进制程的开发中，变更设计，都会是庞大的时间和经济成本。

供应链表示，台积电2奈米于去年底确定各式参数，特化气体、设备等供应商也大致确认，并逐步展开签约，今年4月将开始于宝山P1厂装机。相关设备业者透露，台积电制程推进如预期快速进行，推测宝山P2也会在今年有消息。

3奈米以下先进制程，未来也需要具备先进封装的chiplet概念、成为必要的解决方案。供应链更指出，台积电正采取革命性方法来建立智慧SoIC和先进封装 (InFO/CoWoS) 整合型智慧工厂；其中，将配备独特的内部开发制造系统-「SiView Plus」的混合前端矽（SiView）和封装（AsmView）系统，一并整合先进制程、先进封装，为客户提供最佳服务。