台積電2奈米明年量產 集邦：半導體邁GAAFET競爭

台积电。路透

台积电2奈米制程将于明年量产，是台积电采用第1代奈米片架构技术，市调机构集邦科技表示，全球3大半导体厂台积电、英特尔（Intel）和三星（Samsung）将迈入GAAFET架构的竞赛新局面。

集邦科技今天发布新闻稿指出，鳍式场效电晶体（FinFET）架构自3奈米开始逐渐面临物理极限，半导体先进制程技术发展也出现分歧。

台积电和英特尔在3奈米制程延续采用FinFET架构，三星尝试自3奈米导入基于环绕闸极电晶体（GAAFET）的多桥通道场效电晶体（MBCFET）架构，但至今仍未放量。

集邦科技表示，台积电2025年量产2奈米制程，将转进奈米片架构，英特尔18A将导入带式场效电晶体（RibbonFET），三星仍致力改善3奈米MBCFET制程，3家半导体厂正式转进GAAFET架构竞赛。

集邦科技指出，台积电等厂商采用GAAFET架构，是希望借由4面接触有效控制闸极，为客户提供更高效能、更低功耗且单位面积电晶体密度更高的晶片。

随着人工智慧快速发展，驱动客制化晶片及封装面积需求升高，连带推升CoWoS需求，集邦科技预估，辉达（NVIDIA）明年CoWoS需求将占台积电的60%，并驱动台积电CoWoS月产能于年底接近倍增到7.5万至8万片规模。

集邦科技表示，辉达Blackwell新平台明年上半将逐步放量，将带动CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望超过60%。云端服务供应商积极打造特殊应用晶片，预期AWS等厂商明年对于CoWoS的需求将明显增加。

至于高频宽记忆体发展，集邦科技指出，随着辉达B300、GB300采用HBM3e 12hi，预期2025年起12hi将成为产业主流堆叠层数。