台積電攻AI商機再下一城 協同創意拿下SK海力士訂單

台积电。路透

台积电（2330）抢攻AI商机再下一城，继独家代工辉达（NVIDIA）、超微（AMD）等科技巨头AI晶片之后，传出协同旗下特殊应用IC（ASIC）设计服务厂创意（3443），挥军AI伺服器必备的高频宽记忆体（HBM）关键周边元件有成，携手取得下世代HBM4关键的基础介面晶片（base die）大单。

台积电与创意向来不对订单动态置评。法人指出，AI需求强劲，不仅高速运算（HPC）相关晶片炙手可热，HBM需求同步强强滚，成为市场新商机，吸引SK海力士、三星、美光等三大记忆体晶片厂积极投入，在AI引擎催动下，现阶段HBM3／HBM3e等HMB产能正处于供不应求盛况。

HBM4发展概况 图／经济日报提供

随着AI晶片制程明年进入3奈米世代，现有HBM3／HBM3e碍于容量及速度限制，恐导致新一代AI晶片无法发挥最大算力，三大记忆体晶片厂不约而同拉高资本支出，开始投入下世代产品HBM4研发，目标2025年底量产，2026年放量出货。

记忆体晶片厂开始钻研下世代HBM4研发之际，半导体标准化组织JEDEC固态技术协会也忙着制订HBM4相关新标准，并传出JEDEC将放宽HBM4的堆叠高度限制到775微米，代表原先必须使用的混合接合先进封装技术可延后到下一代HBM规格再使用。

业界推测，HBM4最大转变除了堆叠高度增加到16层DRAM堆叠之外，为了增加频宽传输速度，HBM底部还需要加上逻辑IC，成为新一代HBM4最大变革，亦可能是JEDEC放宽堆叠高度限制的原因之一，而这颗至为关键的逻辑IC即基础介面晶片。

另一方面，SK海力士已宣布携手台积电冲刺HBM4及先进封装商机。业界指出，创意已经顺利拿下SK海力士在HBM4的关键基础介面晶片委托设计案订单，预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12奈米及5奈米生产，预期下半年委托设计（NRE）开案将明显贡献营收，抢进HBM供应链。

业界分析，SK海力士愿意将基础介面晶片订单释放给创意及台积电，主因目前HPC晶片使用的CoWoS先进封装市场仍有逾九成掌握在台积电手上。

另一方面，进入HBM4世代后，使用的基础介面晶片需再度微缩以增加电晶体容量，业界研判，在SK海力士释单之后，美光未来亦有望将基础介面晶片交由创意及台积电量产，创意未来潜在获利空间大幅看增。