外資示警「記憶體寒冬將至」 國內法人：相關族群評價中立

外资最新报告直言记忆体「寒冬将至」，国内法人机构指出，今年下半年消费电子需求未如预期回温，目前现货价仍低于合约价，显示未来合约价有压。（路透）

外资最新报告直言记忆体「寒冬将至」，国内法人机构指出，今年下半年消费电子需求未如预期回温，目前现货价仍低于合约价，显示未来合约价有压；今年记忆体供应商专注于新世代高阶产品量产与销售，但国内厂商并无HBM相关产品，且消费性记忆体不佳，因此对相关族群维持中立看法。

外资最新报告直言记忆体「寒冬将至」，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于第4季反转向下，供过于求会一路延续至2026年。虽然AI需求相对仍强劲，但传统终端市场近期已恶化或保持疲软，库存持续积累，加剧供需失衡状况、导致价格下滑，第4季订价环境将更具挑战，预期恐于2025年出现趋势逆转，DRAM将一路供过于求至2026年。

法人机构表示，据研调机构统计，第3季DRAM合约价季增8~13%，受惠通用型伺服器需求复苏，DRAM供应商HBM生产比重进一步拉高，使供应商将延续涨价态度，第3季DRAM均价将持续上扬8~13%，但Conventional DRAM涨幅为5~10%，较第2季涨幅略有收缩。

第3季智慧手机及CSPs增加库存，且将进入生产旺季，因此预计智慧手机及伺服器将带动记忆体出货量增加。记忆体模组厂从去年第3季后开始积极增加DRAM库存，到今年第2季库存水位已上升至11~17周。然下半年消费电子需求未如预期回温，如智慧手机领域已出现整机库存过高的情况，笔电市场也因消费者期待AI PC新产品而延迟购买，市场继续萎缩。

因此，以消费产品为主的记忆体现货价格开始走弱，第2季较第1季下跌超过30%。目前现货价仍低于合约价，显示未来合约价有压。目前还未明确观察到AI手机或AI PC在未来有合理的应用出现，即使渗透率因平台商推广而有所提高，也难以带起全面换机潮，因此无法带动DRAM价格。

2025年预期DRAM价格会上扬，原因是HBM3e（第五代高频宽记忆体）渗透率持续提升拉高均价，及供给端缺乏新产能而有所限制，但如果消费性需求持续疲软，DRAM价格上涨的幅度将低于预期。

今年记忆体供应商专注于新世代高阶产品的量产与销售，各家业者增加eSSD与HBM产品供给，使各大厂ASP上扬，但国内厂商并无HBM相关产品，且消费性记忆体不佳，因此对相关个股持中立看法。