西安奕斯伟申请氧含量可控的单晶硅和硅晶圆等专利，有效控制氧元素在单晶硅中的分布

金融界2024年10月26日消息，国家知识产权局信息显示，西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请一项名为“氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统”的专利，公开号 CN 118814268 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本申请提供了氧含量可控的单晶硅和硅晶圆、单晶硅生长方法及系统，所述方法包括：在单晶硅的生长过程中，获取石英坩埚的实际加热时长；根据所述实际加热时长和目标加热时长之间的差值所在的差值范围，确定控制参数集及其配置参数值；所述控制参数集包括晶体转速和/或坩埚转速，不同的差值范围对应的控制参数集不同；基于所述控制参数集的配置参数值，自动配置相应的控制参数，以使所述单晶硅的氧含量和目标氧含量之间的氧含量偏差为‑10％～10％。本申请通过监控实际加热时长与目标加热时长的差值，允许分阶段自动调整晶体和坩埚的转速，有效控制氧元素在单晶硅中的分布，减少晶体生长异常和石英坩埚加热时间过长对单晶硅氧含量的影响。

本文源自：金融界

作者：情报员