研調估 NVIDIA Blackwell 2025上半年放量 帶動 CoWoS-L

全球市场研究机构TrendForce今日发布针对2025年科技产业发展，整理十大重点趋势，其中提到聚焦2025年先进制程与AI推动下，半导体技术及CoWoS需求迎来革新与大幅增长，预估NVIDIA Blackwell新平台2025年上半逐步放量后，将带动CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%。

该机构分析，晶圆厂前段制程发展至7nm制程导入EUV微影技术后，FinFET结构自3nm开始逐渐面临物理极限，先进制程技术自此出现分歧。TSMC及Intel延续FinFET结构于2023年量产3nm产品；虽Samsung尝试由3nm首先导入基于GAAFET (Gate all around Field Effect Transistors)的MBCFET架构 (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)，并于2022年正式量产，但至今未放量。进入2025年后，TSMC 2nm正式转进奈米片电晶体架构 (Nanosheet Transistor Architecture)，Intel 18A则导入带式场效电晶体(RibbonFET)，Samsung仍致力改善MBCFET 3nm制程，力拚2025年实现规模量产，三方正式转进GAAFET架构竞赛，期盼借由四面接触有效控制闸极，为客户带来更高效能、更低功耗且单位面积电晶体密度更高的晶片。

该机构也分析，AI应用造成客制化晶片及封装面积的需求日益提升，同步推升2025年CoWoS需求。观察明年CoWoS市场重要发展态势：一、2025年NVIDIA对TSMC CoWoS需求占比将提升至近60%，并驱动TSMC CoWoS月产能于年底接近翻倍，达75~80K；二、NVIDIA Blackwell新平台2025年上半逐步放量后，将带动CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%；三、CSP积极投入ASIC AI晶片建置，AWS等在2025年对CoWoS需求量亦将明显上升。