英特爾、聯電合作進軍12奈米 集邦科技：降低投資成本

联电位于竹科总部。图/联合报系资料照

英特尔（Intel）与联电（2303）于昨（25）日正式宣布合作开发12奈米制程平台。研调机构集邦科技（TrendForce）认为，此合作案借由联电提供多元化技术服务、英特尔提供现成工厂设施，采双方共同营运。不仅帮助英特尔衔接由 IDM 转换至晶圆代工的生意模式，增加制程调度弹性并获取晶圆代工营运经验。

而联电也不需负担庞大的资本支出即可灵活运用 FinFET 产能，从成熟制程的竞局中另谋生路，同时借由共同营运英特尔美国厂区，间接拓展工厂国际分布，分散地缘政治风险，此应为双赢局面。

集邦科技表示，为减少厂务设施的额外投资成本，直接衔接现有设备机台，并有效控制整体开发时程，故本次两家业者针对12奈米 FinFET 制程的合作案，选择以英特尔现有相近制程技术的位在亚利桑那州的钱德勒厂 Fab22／32为初期合作厂区，转换后产能维持原有规模，双方共同持有。

在此情况下，集邦科技预估，所产生的平均投资金额相较于购置全新机台，可省下逾80％，仅包含设备机台移装机的厂务二次配管费，以及其相关小型附属设备等支出。

合作案宣布后，联电方面，在提供12奈米技术部分IP协作开发的同时，也会协助英特尔洽谈晶圆代工生意。联电不仅可利用现成 FinFET 产能而不需摊提庞大的投资成本，又可在中国厂成熟制程的激烈竞局当中脱颖而出。英特尔方面，则以提供现有工厂设施，除了可获得晶圆代工市场经验，扩大制程弹性及多元性，亦可集中资源于3奈米、2奈米等更先进的制程开发。

集邦科技预期，若后续合作顺利，英特尔可能考虑未来再将1～2座1X奈米等级的 FinFET 厂区与联电共同管理；推测相近制程的爱尔兰 Fab24、奥勒冈 D1B／D1C 为可能的候选厂区。

不过，做为主要技术IP提供者的联电，其14奈米自2017年至今尚未正式大规模量产，12奈米目前也仍在研发阶段，预计2026下半年将进入量产；因此双方的合作量产时程暂订于2027年，FinFET 架构技术稳定性仍待观察。

整体而言，集邦科技认为，在成熟制程深耕多年的联电，与拥有先进技术的英特尔共同合作下，双方除了在10奈米等级制程获得彼此需要的资源，未来在各自专精领域上是否会有更深入的合作值得关注。