英特磊IET-KY董事长暨总经理 高永中的蓝海策略 不设限主攻磷化铟

小档案 高永中

英特磊IET-KY董事长暨总经理高永中，当年不采三五族长晶主流的MOCVD磊晶技术，主攻MBE，是全球目前MBE领域唯二大厂，与英国大厂IQE分庭抗礼。主力材料也有别常见的砷化镓（GaAs），以磷化铟（InP）辟出蓝海。

23年前创业之初，「生存下来」是第一目标，高永中的策略是「不设限」，政府标案与民用并进，连机台都能自制，他说「只要能利用MBE赚钱，都是公司走向」。

「随大流的话，对新创公司竞争机会不大」英特磊之所以选择MBE长晶，除了因高永中自攻读博士到进入德州仪器都与MBE为伍、经验丰富外，另一重要原因是，当时台、美MOCVD磊晶厂至少五到十家，价格竞争激烈，设厂美国的英特磊先天生产成本高，因而另辟蹊径、选择非主流的MBE，先攻「只有MBE能做」的材料及元件，如当年的磷化铟及后来的锑化镓（GaSb）。

磷化铟成主力 目标在mmWave

MOCVD的生长速率与成本等，皆较MBE有优势，产业化已臻成熟。而MBE则因成膜机理简单、干净低污染，可进行多种即时分析测试，利于研究各种材料的生长过程及记录，且因反应过程不需化学反应参与，因此可在较低温下制备材料，适用于许多无法承受高温的材料，挑战磊晶技术瓶颈，亟具引领化合物半导体行业发展趋势的潜力。

当各家以砷化镓迎接5G世代来临，高永中将营运主力放在磷化铟上，且市场商机锁定在被称为「真5G」的「mmWave毫米波」。

目前全球5G技术以Sub-6 GHz为主，对功率和线性度的要求上，砷化镓PA（功率放大器）犹可胜任。然随物联网（IoT）、车联网（IoV）等应用普及，要求更高传输速度，势必要向前推进至mmWave，届时，磷化铟挟高饱和电子漂移速度和电子迁移率，在超高频下性能优异，能隙宽度与击穿电场强度也较高，能满足更高功率元件要求，高永中有信心，磷化铟将成为真5G世代中的主流。

目前磷化铟成本高昂，尚未能普及，但高永中仍早市场好几步相信磷化铟。他说「研发产品，并不是为了今天」，将眼光放在3～5年、甚至10～20年的将来。如同高永中2002年就开发出堪称全世界表现最好的PIN（光接收器），却是直到2017年才开始量产。

在三五族产业中，英特磊特有的锑化镓，订单多来自军用，让人误以为公司以国防为主战场。但事实上，英特磊最早的量产品是砷化镓pHEMT，提供手机Switch之用，为消费性电子市场，且拜2007～2012年美国大客户所赐，在当年全球手机市场渗透率，曾高达一半以上。

主攻利基型市场 通吃国防、民用订单

高永中认为，只有不停地创新与优化产品，才能保证公司长久的生存和成长，因此，英特磊在MBE方面技术含量深，也不断地发展新技术与产品。

因公司规模小，高永中转而主攻「利基型」市场。透过政府标案与民用订单双管齐下，巩固国防市场营收来源，同时开拓磷化铟等新材料的发挥舞台。

除了未来的「真5G」手机PA外，磷化铟现有产品已应用于高频光纤网路、高频量测仪器元件、资料中心以及5G基础建设等市场，此外也正投入研发氮化镓。

高永中说，市场不以国防为限，而是与民用并进；在产品策略，则是追求高端、高毛利，静待真5G世代的来临，磷化铟将大有可为。