中国半导体突破8奈米？　科技专家：小心歪成「陶朱隐园」

▲中芯国际上海总公司。（图／CFP）

记者陈莹欣／台北报导

中国工信部日前公布重大技术装备推广应用指导目录，透露半导体晶片制程攻破8奈米，引发各界热议，科技专家许美华曝「老台积人」分享「重复曝光」的概念，许美华并指出，中国理论上虽可能做得出来，但「技术实力」是否已到位仍待确认，相关专家直言，用重复曝光的对准误差值估算后，8奈米晶片都长成「陶朱隐园」了，不用瞎忙测试都知道良率是零。

以下是许美华授权《ETtoday新闻云》刊载全文：

以下这个，欢迎「内行看门道，外行看热闹」！昨天才发文说，如果报导内文是用光刻机（Ｘ）而不是曝光机（〇），可以直接跳过不用理；但是，老台积人Albert Cheng讲重复曝光，实在太传神、太好笑了，不分享不行。故事背景是这样：

曾经是老台积人，后来转任中芯独立董事、英特尔顾问的杨光磊最近受访，被主持人岑永康问到中国工信部宣称自制国产光刻机（Ｘ），制程已经可以做到8奈米（其实应该是65奈米），他回答说：「没道理做不出来」。

「至于用干式的氟化氩光刻机，杨光磊说，该光刻机雷射波长193奈米，要制作出8奈米的技术，绝对是可能的，因为193奈米不断除以2就会接近8奈米，所以技术上绝对可行，但良率与功能仍要抱持存疑态度。」

这里杨光磊说的，不断除以2，就是大家常听到的晶片制造「重复曝光」的过程。

脸友Albert用「陶朱隐园」做例子，解说这个不断除以2的结果（后果），快笑4我:

「照这样说，从65nm拆pattern微缩到8nm，每层要重复曝光三次且相对应薄膜、蚀刻的etch stop也要做三次，如果每次对准误差（overlay)+-8nm，需要八十几层堆叠做好的八奈米晶片都长成「陶朱隐园」了，不用瞎忙测试就知道良率是「零」嘿

「再说下去，8奈米继续再除以2两次就是2奈米，用ArF-193nm 波长 dry DUV（相当于ASML XT-1450,2006)做出2奈米晶片，技术上也可行？⋯⋯这简直可以得到两个诺贝尔奖！」

看到这里，就算是半导体路人小白，应该也有略懂略懂的感觉吧？！

Albert说，他不是针对对杨博士，单纯是分享自己几十年亲身经验。Albert希望我写含蓄一点，不然「学长会打我」

我去听了杨光磊的受访内容，觉得曾经是台积研发处长的杨博士，讲话实在太客气了。他受访说「没道理做不出来」、「技术上可行」，很像老外常说的，theoretically（理论上）可行，其实，通常说这话的真正意思是，实务上的结果，就是不行；杨博士大概是上节目，不想把话说太绝。（鼓励继续加油跳火坑⋯

Btw，刚退役的Albert，师承浸润式微影技术前辈林本坚，一辈子都在黄光领域，台积电重复曝光的专利就有他，很多年轻工程师都上过他的课。强者我脸友。

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