北方华创申请沟槽结构制备方法专利，改善沟槽处沟道可靠性

金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示，北京北方华创微电子装备有限公司申请一项名为“沟槽结构的制备方法及沟槽栅型晶体管的制备方法”的专利，公开号 CN 118841431 A，申请日期为2023年4月。

专利摘要显示，本发明公开了一种沟槽结构的制备方法及沟槽栅型晶体管的制备方法，该沟槽结构的制备方法包括：利用刻蚀气体对半导体层进行刻蚀，以在半导体层上形成沟槽，刻蚀气体含有氧元素或氮元素；对沟槽的侧壁进行P型掺杂，以补偿刻蚀过程中氧元素或氮元素在侧壁造成的浅施主缺陷。本发明能够改善沟槽处沟道的可靠性，提高碳化硅器件的制造良率。

本文源自：金融界

作者：情报员