《产业分析》NAND喊涨价 记忆体产业5好1坏

记忆体周期性触底，原先因Nor、利基型DRAM记忆体定价压力，外资看淡记忆体族群，如今记忆体价格上扬趋势，后续亦有下半年旺季效应、川普政策明朗化、非中国供应商库存回补、16奈米DRAM迁移等因素，记忆体价格可望持续改善。

记忆体变数上，除了川普关税外，即长鑫存储CXMT在DRAM领域的竞争，但整体来自非中国供应商的利基DRAM库存消化即将结束，且AI相关如AI PC等将提供出货动能，下半年新WoA PC将使得Nor密度翻倍，对华邦电订单所有帮助，使得NOR、DRAM、logic后续状况呈现成长趋势。

华邦电原先遭美系外资列入underweight(减持)投资评等，受惠记忆体价格上扬，NOR、DRAM、logic都已触底，预估华邦电将在第三季转亏为盈，且华邦电更挟有CUBE机会，将跟上边缘AI的浪潮，营运上可望有更多上行空间，外资将华邦电投资评等upgrade to Overweight(升至增持)，目标价给予2字头之上至25元。

NAND Flash市况上，根据TrendForce日前调查分析，2025年第一季市况，尽管供应商已开始积极减产，仍难以避免传统淡季效应，包括server等各项终端产品备货速度已放缓，预估在订单量、合约价皆大幅衰退的情况下，第一季NAND Flash整体产业营收可能季减高达20%。然而，随着减产加上价格于第一季逐步落底，预期NAND Flash产业下半年可望重回上升轨道。

外资最新说法提到，供应控制得宜，NAND Flash价格回升，若关税提前拉动和中国补贴需求持续时间长于预期，可望在第二季持续稳定价格，且PC OEM和智慧手机库存下降助力。

DRAM市况，受惠Server DRAM与HBM持续支撑，DRAM产业去年第四季状况不俗。TrendForce先前提到，2025年第一季随着进入生产淡季，整体原厂出货位元量将季减。价格部分，因PC OEM、手机业者持续去化库存，DRAM供应商将DDR4及部分HBM产能回流至server DDR5，CSP采购动能放缓，预估第一季一般型DRAM合约价、一般型DRAM及HBM合并的整体合约价皆下跌。

记忆体制造厂南亚科(2408)、华邦电(2344)、旺宏(2337)去年获利，南亚科、旺宏连两年赤字，2024每股亏损分为1.64、1.73元元，华邦电年度EPS则成功转正至0.14元。不过三家制造厂113年度均拟不发放股利。展望今年各厂转盈机，除了上述华邦电挟记忆体供需改善外，旺宏可望受惠NOR需求温和成长，下半年拥抱任天堂新机上市题材，对稼动率和毛利率产生正向助益，加上去化高额存货，并有先前提列高额存货跌价损失将有回冲机会，带来亏转盈契机。

南亚科方面，边缘AI运算在终端产品的应用将开始增加(如AI PC、AI手机、AI机器入及其他智慧电子产品)，将有利DRAM搭载量提升，整体DRAM市场可能在2025年上半年触底，且区域经济在刺激方案推动下，有助于库存去化，非AI领域可望进一步改善。但后续也留意各国政府政策，如大陆旧换新补贴、美国加征关税及各国资料中心基础建设等，对终端需求影响仍待观察。

新品方面，除了华邦电CUBE将在今年下半年贡献小量营收，明年扩大放量；南亚科新制程上，新改版16Gb DDR5 6400目标于2025年上半年推出，新世代LPDDR4目标于2025年下半年推出，LPDDR5目标于2026年推出；旺宏3D NOR原型去年登场，并持续优化更具竞争力产品，预计2026年开卖贡献财报。