大陸實現自製DUV曝光機 可生產8奈米及以下晶片

中国工信部近日公布一项通知显示，中国已取得重大技术突破，研发出深紫外光曝光机（DUV），可生产8奈米及以下晶片，目前正在推广应用。

中国工业和信息化部官网9日公布「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」的通知，下发地方要求加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。

中国工信部称，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。「中国首台（套）重大技术装备」是指国内实现重大技术突破、拥有智慧财产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零部件等。

这份目录显示，在积体电路生产装备，其中一项是「氟化氩光刻机」（DUV曝光机），核心技术指标是「晶圆直径300mm，照明波长248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。这也代表，这台国产DUV可生产8奈米及以下晶片。

中国大陆科技自媒体今天转发消息后称，中国自己的DUV曝光机终于来了，虽然与荷兰艾司摩尔（ASML）曝光机存在代差，至少己填补空白，可控可用，期待之后能研发出更先进的极紫外光曝光机（EUV）。

美国5日才宣布收紧制造先进半导体设备所需机器的出口管制，荷兰政府隔天跟进，宣布扩大限制半导体制造设备出口，。

路透社报导，ASML的1970i和1980i深紫外光曝光机（DUV）输出中国会受到影响，两款机型大约是ASML所属DUV产品线的中阶位置。

中国若实现国产8奈米及以下制程DUV，未来绝大多数晶片制造，将不用受制于ASML。不过，截至目前，尚无中国官方与厂商宣布这项消息。