大陸製DUV生產65奈米晶片硬扯8奈米 遭中外媒體打臉

大陆制DUV生产65奈米晶片硬扯8奈米，遭中外媒体打脸。路透

大陆工信部9月初公布的「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」的通知中，列出全新自制DUV曝光机，分辨率为≤65nm，套刻精度≤8nm，让许多大陆民众乐翻，高喊大陆突破美国封锁，「可生产8奈米晶片」。

没想到却惨遭中外媒体打脸，认为此款新的DUV曝光机仅能生产65奈米或以下晶片，有人看到「套刻≤ 8nm」就认为这是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。

大陆科技媒体「芯智讯」报导，根据大陆工信部公布的资料显示，「积体电路生产装备」项目列出氟化氪曝光机和氟化氩曝光机，氟化氪曝光机就是老式的248奈米光源的KrF曝光机，分辨率为≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氩曝光机则是193奈米光源的ArF曝光机（DUV曝光机），但揭露的这款仍是干式DUV曝光机，而非更先进的浸没式DUV曝光机（也称为ArFi曝光机）。

从工信部揭露的参数来看，此DUV曝光机解析度为≤65nm，套刻精度≤8nm。虽然相比之前上微的SSA600曝光机有所提升（解析度为90nm），仍并未达到可以生产28奈米晶片的程度，更达不到制造什么8奈米、7奈米晶片的程度，许多网友直接把套刻精度跟曝光制程节点水平搞混。

报导指出，65nm的分辨率，代表能够达到的制程节点大概就是「65奈米」左右。有人一看到「套刻≤ 8nm」就认为是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。

套刻精度则指的是每一层曝光层之间的对准精度。众所周知，晶片的制造过程，是将很多层的曝光图案一层一层的实现，并堆叠而成。一层图案曝光完成后，需要再在上面继续进行下一层图案的曝光，而两层之间需要精准对准，这个对准的精度就是套刻精度，并不是指能够制造的晶片的工艺制程节点。

科技媒体「WccfTech」则认为，大陆新公布国产DUV曝光机至少落后美国15年，因为荷兰半导体设备巨擘 ASML 的客户，至少在 2009 年就可以透过ArF 曝光机生产晶片。