陸自製DUV大突破 可生產8奈米晶片...將衝破美國圍堵

大陆已取得技术突破，研发出深紫外光曝光机（DUV）。图为艾司摩尔DUV。（路透）

大陆工信部公布一项通知显示，大陆已取得技术突破，研发出深紫外光曝光机（DUV），可生产8奈米及以下晶片，目前正在推广应用。

中美近年掀起科技战，美国积极防止大陆取得先进晶片制造设备，但围堵的成效不佳，有消息显示大陆已在相关技术取得重要突破，引起科技圈关注。

大陆工信部官网9日公布「首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）」通知，下发地方要求加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同。工信部称，重大技术装备是国之重器，事关综合国力和国家安全。「首台（套）重大技术装备」是指国内实现重大技术突破、拥有智慧财产权、尚未取得明显市场业绩的装备产品，包括整机设备、核心系统和关键零组件等。

这份目录显示，在积体电路生产装备，其中一项是「氟化氩光刻机」（DUV曝光机），核心技术指标为：「晶圆直径300mm，照明波长248nm，分辨率≦65nm，套刻≦8nm」。

大陆国产DUV概况

这也代表，这台大陆国产DUV曝光机可生产8奈米及以下晶片。至于大陆国产DUV曝光机的（制造）良率则未提到。

大陆科技媒体「科学科技说」转发上述内容称，大陆自己的DUV曝光机终于来了，虽与晶片制造设备龙头艾司摩尔（ASML）曝光机存在几代差距，至少已填补空白，可控可用，期待之后能研发出更先进的极紫外光曝光机（EUV）。

从工信部的消息看，这次突破主要集中在28奈米。这一节点在半导体制造上具有举足轻重地位，是许多晶片的基础过程。这项突破的意义不仅在于技术层面的进步，更在于它为大陆带来策略上的主动权。

这意味着在未来面对外在挑战时，大陆将能够更从容地应对并保持自身的独立性和自主性。

美国本月初才宣布收紧制造先进半导体设备所需机器的出口管制，荷兰政府隔天跟进，路透报导，ASML的1970i和1980i深紫外光曝光机（DUV）输出大陆会受到影响，两款机型大约是ASML所属DUV产品线的中阶位置。有分析指，大陆若实现国产8奈米及以下制程DUV，未来绝大多数晶片制造将不用受制于ASML。

此外，日经中文网上月底报导，日本半导体调查企业TechanaLye社长清水洋治表示，尽管良率上仍存有差异，但是大陆晶片的技术实力，目前仅落后台积电（2330）三年的水准。

他是在比较台积电2021年量产的5奈米「KIRIN 9000」及2024年中芯国际量产的7奈米「KIRIN 9010」后作出这项结论。

清水洋治并在分析华为智慧型手机后称，到目前为止，美国政府的管制只是略微减慢了中方的技术创新，但却推动了大陆半导体产业的自主生产。

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