華為申請專利攻5奈米晶片 攜手新凱來突破美科技圍堵

华为携手晶片制造设备开发商新凯来技术公司，为一种能有效制造先进半导体的方法申请专利。（路透）

力求突破美国科技围堵，华为携手大陆晶片制造设备开发商新凯来技术公司，为一种技术含量低但能有效制造先进半导体的方法申请了专利，在没有最先进极紫外光（EUV）曝光设备的情况下，也可以生产出5奈米晶片。

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彭博报导，根据这两家公司向大陆智慧财产权局提交的文件，专利涉及自对准四重成像技术（Self-Aligned Quad Patterning、SAQP），有助于减少对高阶曝光机的依赖，或能帮助华为与合作伙伴在没有ASML最先进极紫外光（EUV）曝光设备的情况下生产出高阶晶片。

总部位于荷兰的曝光机巨头艾司摩尔（ASML），是EUV曝光机唯一生产商，由于出口管制，他们不得向中国大陆出售此类曝光机。

彭博报导指出，四重成像是一种在矽片上多次蚀刻线路以提高晶体管密度，进而增强性能的技术。22日公告的华为专利申请中，描述了一种使用该技术制造更复杂半导体的方法。

与华为合作的深圳市重大产业投资集团旗下晶片制造设备开发商新凯来技术，于2023年底获得了一项关于SAQP的专利。根据文件，这项专利透过采用深紫外光（DUV）曝光机和SAQP技术，来达到5奈米制程晶片的某些技术标准，此类做法可避免使用EUV设备同时降低制造成本。

报导引述半导体研究分析机构科技洞察力（TechInsights）副董事长哈奇森（Dan Hutcheson）指出，四重成像技术足以让大陆制造5奈米晶片，但不能完全克服没有EUV情况下的技术障碍。

报导并指，台积电（2330）等领先的晶片制造商使用EUV机器生产先进半导体，因为这样产出最高，可以做到单颗晶片的成本最小化。如果华为及合作伙伴使用替代方法进行半导体生产，它们单颗晶片的成本可能会高于行业标准。